[发明专利]OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 202010242669.7 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111430300B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 马玲玲;刘亮亮;彭利满;米红玉;闫晓峰;高乐 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H10K71/00 | 分类号： | H10K71/00;H10K50/844;H10K59/12 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成薄膜晶体管层；
在薄膜晶体管层上形成平坦化层；
在平坦化层上形成阳极和像素界定层，其中所述像素界定层围绕所述阳极并覆盖所述阳极的边缘；
在所述阳极上形成OLED发光层；
在所述像素界定层上形成钝化层，其中，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影，所述钝化层由SiO2或Si3N4形成；
仅在被所述像素界定层覆盖的阳极边缘对应的位置形成所述钝化层；
形成阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成阴极之前，还包括：
在所述像素界定层上形成支撑层，其中，所述阴极覆盖所述支撑层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述钝化层的厚度小于所述支撑层的厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
采用镀膜工艺形成所述钝化层。
5.一种OLED阵列基板，包括：
衬底；
形成在衬底上的阳极；
围绕并覆盖所述阳极边缘的像素界定层；
形成在所述阳极上的OLED发光层；
其特征在于，所述OLED阵列基板还包括：
形成在所述像素界定层上的钝化层，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；
所述钝化层仅形成于被所述像素界定层覆盖的阳极边缘对应的位置，所述钝化层由SiO2或Si3N4形成；
阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。
6.根据权利要求5所述的OLED阵列基板，其特征在于，还包括：
形成在所述像素界定层上的支撑层，其中，所述钝化层的厚度小于等于所述支撑层的厚度。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求5-6中任一项所述的OLED阵列基板。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的显示面板。
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