[发明专利]烷氧基硅化合物的精制方法

说明书

本发明的目的是提供通过用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理，从而被精制烷氧基硅化合物对螯合树脂的吸附量少，并且能够使金属杂质减少的烷氧基化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。解决手段是用具有下述式(1‑1)～(1‑3)中的任一者所示的官能团的螯合树脂进行处理。(在式(1‑1)～(1‑3)中，＊表示与作为载体的树脂的结合端)。

技术领域

涉及在半导体装置制造中的光刻工序中成为缺陷的原因的金属杂质减少了的烷氧基硅化合物的产业上有用的精制方法。

背景技术

对于在半导体装置制造中的光刻工序中使用的光刻用涂布膜形成用组合物，要求减少成为晶片上的微小缺陷(例如1～100nm左右，称为缺陷(defect)等)的原因的金属杂质。

作为将这样的金属杂质除去的方法，已知用硅胶柱进行处理而除去的方法(非专利文献1)，但除去率差，不适于工业规模。

此外，作为将金属杂质除去的方法，已知采用离子交换树脂的方法，但具有烷氧基硅烷水解、或被精制化合物向离子交换树脂的吸附大，经济上精制效率变差这样的问题。

此外，采用蒸馏的精制也可以作为将金属杂质高效地除去的方法使用，但具有在被精制化合物为固体或高沸点的情况下，或在被精制化合物对热的稳定性低的情况下不能适用等问题。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：実験化学講座，第2卷，p114

发明内容

发明所要解决的课题

本发明是为了解决这样的课题而提出的，其目的是提供通过用具有含有特定原子的官能团的螯合树脂对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理，从而被精制烷氧基硅化合物对螯合树脂的吸附量少，并且能够使金属杂质减少的烷氧基化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。

用于解决课题的方法

本发明者们为了达到上述目的而反复进行了深入研究，结果发现了通过用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理，从而能够抑制被精制烷氧基硅化合物对螯合树脂的吸附并且高效地使金属杂质减少的方法，从而完成了本发明。

即，本发明提供下述烷氧基硅化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。

1.一种烷氧基硅化合物的精制方法，其特征在于，用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂，对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理。

2.根据上述1所述的烷氧基硅化合物的精制方法，上述官能团由下述式(1-1)～(1-3)中的任一者表示。

(在式(1-1)～(1-3)中，＊表示与作为载体的树脂的结合端)

3.根据上述1或上述2所述的烷氧基硅化合物的精制方法，其特征在于，用包含上述螯合树脂的混合物或上述螯合树脂与其它螯合树脂的混合物，对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理。

4.根据上述1或上述2所述的烷氧基硅化合物的精制方法，其特征在于，使用选自上述螯合树脂、包含上述螯合树脂的混合物、其它螯合树脂、和上述螯合树脂与其它螯合树脂的混合物中的2种以上物质，一个一个地依次对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理。

5.根据上述1～上述4中任一项所述的烷氧基硅化合物的精制方法，上述烷氧基硅化合物的分子量为5000以下。

6.根据上述1～上述5中任一项所述的烷氧基硅化合物的精制方法，上述烷氧基硅化合物是使具有羟基、氨基或芳基的化合物在过渡金属催化剂存在下与烷氧基硅化合物反应而获得的化合物。