[发明专利]一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法

说明书

本申请公开了一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法，用以提高微发光二极管的转移效率，同时避免损伤微发光二极管。本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移方法，所述方法包括：在衬底基板上形成微发光二极管阵列并在所述微发光二极管之上形成氢化非晶层；将所述氢化非晶层与转移基板贴合，并将所述微发光二极管阵列从所述衬底基板剥离；将所述转移基板的所述微发光二极管阵列与目标基板对准贴合；对所述氢化非晶层采用退火工艺，以使所述氢化非晶层释放氢气，将所述转移基板剥离。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法。

背景技术

近年来，微型发光二极管(Micro LED)作为一种新型的自发光型显示技术，获得了研究者的广泛关注。Micro LED显示与液晶显示(Liquid CrystalDisplay，LCD)相比，MicroLED结构更为简单，并且作为自发光技术，MicroLED显示在显示对比度、响应速度、色域、视角等方面优于LCD；Micro LED显示与有机发光二极管(OLED)显示相比，Micro led在亮度、效率、寿命方面具备一定优势。

目前的Micro LED技术中，关键的步骤是将Micro LED芯片从临时衬底转移到目标衬底上。现有技术中典型的工艺方法包括以下两种：一、利用传送设备对Micro LED进行拾取和放置；二、利用激光光束照射Micro LED进行剥离转移。第一种工艺需要通过调控传送设备与Micro LED之间的作用力的大小，进行Micro LED芯片的拾取和放置动作。第二中工艺则是利用激光束照射在释放层材料上，使得该材料与Micro LED之间的作用力减弱，实现剥离和转移的目的。但是，上述两种方法均存在一定的局限性，第一种方法的剥离和转移效率较低，且受到拾取设备的尺寸大小限制；第二种方法则存在激光光斑较大以及局部热量过高损伤Micro LED有源层，影响Micro LED发光效率的问题。

综上，现有技术Micro LED转移工艺转移效率低，容易损伤Micro LED影响MicroLED发光效率。

发明内容

本申请实施例提供了一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法，用以提高微发光二极管的转移效率，同时避免损伤微发光二极管。

本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移方法，所述方法包括：

在衬底基板上形成微发光二极管阵列并在所述微发光二极管之上形成氢化非晶层；

将所述氢化非晶层与转移基板贴合，并将所述微发光二极管阵列从所述衬底基板剥离；

将所述转移基板的所述微发光二极管阵列与目标基板对准贴合；

对所述氢化非晶层采用退火工艺，以使所述氢化非晶层释放氢气，将所述转移基板剥离。

本申请实施例提供的微发光二极管的转移方法，在对微发光二极管进行第一次转移的过程中，转移基板不会受到衬底基板上的微发光二极管的尺寸、间距的限制，可以提高微发光二极管的转移效率，由于转移基板可以对任何尺寸的微发光二极管进行转移，从而转移基板可以反复多次利用，可以节省成本。并且，本申请实施例提供的微发光二极管的转移方法中，还在微发光二极管上设置有氢化非晶层，在对微发光二极管进行第一次转移的过程中，氢化非晶层与转移基板贴合，在将微发光二极管阵列与目标基板对准贴合之后，采用退火工艺便可以使得氢化非晶层释放氢气，以使氢化非晶层与转移基板分离，以实现微发光二极管从转移基板剥离，采用退火工艺而不是激光光束照射工艺从而可以避免激光光束对微发光二极管阵列造成损伤，可以保证微发光二极管的良率，从而提高微发光二极管的发光效率。

可选地，在衬底基板上形成微发光二极管阵列并在所述微发光二极管所述发光二极管之上形成氢化非晶层，具体包括：

在所述衬底基板之上形成所述微发光二极管各膜层；