[发明专利]晶圆的检测方法和检测设备

权利要求书

1.一种晶圆的检测方法，其特征在于，包括：

检测带有刻蚀沟槽的待检测晶圆的第一质量；

在所述待检测晶圆的所述刻蚀沟槽内填入填充材料；

检测填入所述填充材料后的所述待检测晶圆的第二质量；

确定所述第二质量与所述第一质量的第一质量差；

在待检测晶圆进行刻蚀前，检测所述待检测晶圆的第三质量；

对所述待检测晶圆进行刻蚀，形成所述刻蚀沟槽；

确定所述第三质量与所述第一质量的第二质量差；

根据所述第一质量差与所述第二质量差，确定第一比值；

根据所述第一比值与预设基准值，确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内是否具有孔洞缺陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据质量差关系图上的预设基准线的斜率，确定所述预设基准值；

所述质量差关系图的纵坐标为所述第一质量差，所述质量差关系图的横坐标为所述第二质量差；

所述根据所述第一比值与预设基准值，确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内是否具有孔洞缺陷，包括：

若所述第一比值大于所述预设基准值，则确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内具有所述孔洞缺陷。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据至少两片标准晶圆在刻蚀前后以及填入所述填充材料后的质量，确定所述预设基准值。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据至少两片标准晶圆在刻蚀前后以及填入所述填充材料后的质量，确定所述预设基准值，包括：

在至少两片标准晶圆的表面，分别刻蚀形成刻蚀沟槽，其中，各所述标准晶圆表面形成的所述刻蚀沟槽的尺寸不同；

根据刻蚀前与刻蚀后的所述标准晶圆的质量，确定第一标准质量差；

在所述至少两片标准晶圆的所述刻蚀沟槽内填入所述填充材料；

根据所述刻蚀后的所述标准晶圆的质量与填入所述填充材料后的标准晶圆的质量，确定第二标准质量差；

根据所述至少两片标准晶圆的所述第一标准质量差与第二标准质量差，确定所述预设基准值。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述标准晶圆的刻蚀沟槽内填入所述填充材料前，确定所述刻蚀沟槽的第一深度；

在所述标准晶圆的刻蚀沟槽内填入所述填充材料后，对所述标准晶圆表面进行研磨，去除所述标准晶圆表面的所述填充材料；

检测研磨后的所述标准晶圆的刻蚀沟槽内填充材料的第一厚度；

将所述第一标准质量差与所述第一深度的第二比值，作为质量差关系图的第一坐标轴；

将所述第二标准质量差与所述第一厚度的第三比值，作为所述质量差关系图的第二坐标轴；其中，所述第一坐标轴与所述第二坐标轴分别为所述质量差关系图的横坐标轴和纵坐标轴中的任一个；

根据所述至少两片标准晶圆的所述第一标准质量差与第二标准质量差，确定所述预设基准值，包括：

根据所述至少两片标准晶圆对应的所述第二比值和所述第三比值，确定所述质量差关系图上的预设基准线；

根据所述预设基准线的斜率，确定所述预设基准值。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述待检测晶圆的刻蚀沟槽内填入所述填充材料前，确定所述刻蚀沟槽的第二深度；

在所述待检测晶圆的刻蚀沟槽内填入所述填充材料后，对所述待检测晶圆表面进行研磨，去除所述待检测晶圆表面的所述填充材料；

检测研磨后的所述待检测晶圆的刻蚀沟槽内填充材料的第二厚度；

根据所述第一质量差与所述第二深度的比值，确定第一量测值；

根据所述第二质量差与所述第二厚度的比值，确定第二量测值；

所述根据所述第一质量差与所述第二质量差，确定第一比值，包括：

根据所述第一量测值与第二量测值的比值，确定所述第一比值。