[发明专利]电子器件

说明书

本发明题为“电子器件”。本发明公开了一种电子器件，并且该电子器件可以包括HEMT。在实施方案中，该HEMT可以包括栅极电极、漏极电极和存取区域。该存取区域可以包括更靠近栅极电极的第一部分和更靠近漏极电极的第二部分。下介电膜可以覆盖存取区域的一部分，并且上介电区域可以覆盖存取区域的另一部分。在另一实施方案中，介电膜可以具有相对正或负电荷以及变化的厚度。在另一实施方案中，HEMT可以包括栅极互连，该栅极互连穿过接触开口延伸到栅极电极。

技术领域

本公开涉及电子器件，并且更具体地涉及包括高电子迁移率晶体管的电子器件，高电子迁移率晶体管包括栅极电极和介电膜。

背景技术

增强模式高电子迁移率晶体管可以具有朝着漏极电极延伸的栅场电极，以有助于提高器件的可靠性。但是，栅场电极会增加栅漏电容C_GD，这导致米勒比率C_GD/C_GS更高，其中C_GS是栅源电容。影响器件性能的其他参数包括亚阈值斜率和通态电阻R_DSON。对于亚阈值斜率，可以在晶体管导通时绘制漏极电流I_D与栅极电压V_GS。可以在器件关闭时为特定I_D或I_D范围确定亚阈值斜率。理想情况下，在器件打开时，亚阈值斜率是均匀的，并且R_DSON低。改善一个变量通常以牺牲其他参数之一为代价。例如，提高对栅极反弹的电阻可能伴随着较低的器件可靠性，亚阈值斜率的均匀性提高可能伴随着更高的R_DSON等。因此，本领域技术人员寻求改善的性能，而对器件参数没有或几乎没有不利影响。

发明内容

本发明要解决的问题是在不将高电子迁移率晶体管的导通状态电阻增加到不可接受的水平的情况下降低高电子迁移率晶体管的米勒比率。

根据本发明的一方面，提供了电子器件。该电子器件可以包括高电子迁移率晶体管。该高电子迁移率晶体管可以包括：栅极电极；漏极电极；存取区域，该存取区域包括更靠近栅极电极的第一部分和更靠近漏极电极的第二部分；第一介电膜，该第一介电膜包括第一材料并且覆盖存取区域的第一部分而不覆盖存取区域的第二部分；第二介电膜，该第二介电膜包括第二材料并覆盖存取区域的第二部分，其中第二材料不同于第一材料。

在实施方案中，栅极电极具有在第一拐角处相交的顶表面和第一侧壁，并且第一介电膜在第一拐角处接触栅极电极的顶表面和侧壁。

在特定实施方案中，电子器件可以进一步包括栅极互连，其中栅极电极具有与第一侧壁相对的第二侧壁，第二侧壁在第二拐角处与顶表面相交，并且栅极互连接触栅极电极的顶表面的一部分并且与第一拐角和第二拐角间隔开。

在更特定的实施方案中，栅场电极是栅极互连的一部分或电连接到栅极互连，其中第一介电膜设置在栅场电极与存取区域的第一部分之间，并且第一介电膜在存取区域上方延伸第一距离，栅场电极在存取区域上方延伸第二距离，并且第二距离在第一距离的0.5倍至2.0倍的范围内。

在另一更特定的实施方案中，电子器件可以进一步包括源极电极，其中第二介电膜包括从栅极互连延伸至漏极电极的第一部分和从栅极互连延伸至源极电极的第二部分。

在另一实施方案中，栅极电极具有主体区域和从主体区域延伸的延伸区域，其中主体区域和延伸区域具有相同的组成并且沿着栅极电极的底表面定位，并且漏极电极相比靠近主体区域更靠近延伸区域。