[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种包括高电子迁移率晶体管的电子器件，所述电子器件包括：

栅极电极；

漏极电极；

存取区域，所述存取区域包括更靠近所述栅极电极的第一部分和更靠近所述漏极电极的第二部分；

第一介电膜，所述第一介电膜包括第一材料并且覆于所述存取区域的所述第一部分上而不覆于所述存取区域的所述第二部分上；和

第二介电膜，所述第二介电膜包括第二材料并覆于所述存取区域的所述第二部分上，其中所述第二材料不同于所述第一材料。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述栅极电极具有在第一拐角处相交的顶表面和第一侧壁，并且所述第一介电膜在所述第一拐角处接触所述栅极电极的所述顶表面和侧壁。

3.根据权利要求2所述的电子器件，所述电子器件进一步包括栅极互连件，其中所述栅极电极具有与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第二侧壁在第二拐角处与所述顶表面相交，并且所述栅极互连件接触所述栅极电极的所述顶表面的一部分并且与所述第一拐角和所述第二拐角间隔开。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其中栅场电极是所述栅极互连件的一部分或电连接到所述栅极互连件，其中所述第一介电膜设置在所述存取区域的所述第一部分与所述栅场电极之间，并且所述第一介电膜在所述存取区域上方延伸第一距离，所述栅场电极在所述存取区域上方延伸第二距离，并且所述第二距离在所述第一距离的0.5倍至2.0倍的范围内。

5.根据权利要求3所述的电子器件，所述电子器件进一步包括源极电极，其中所述第二介电膜包括从所述栅极互连件延伸至所述漏极电极的第一部分和从所述栅极互连件延伸至所述源极电极的第二部分。

6.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述栅极电极具有主体区域和从所述主体区域延伸的延伸区域，其中所述主体区域和所述延伸区域具有相同的组成并且沿着所述栅极电极的底表面定位，并且所述漏极电极相比靠近所述主体区域更靠近所述延伸区域。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子器件，其中：

所述第一介电膜包括Si₃N₄、SiO_kN_l、AlN、AlO_rN_s或提供带负电的介电膜的另一含氮介电材料，其中kl，其中rs，以及

所述第二介电膜包括Al₂O₃、AlO_tN_u、SiO₂、HfO₂、SiO_mN_n或提供带正电的介电膜的另一含氧介电材料，其中tu，其中mn。

8.一种包括高电子迁移率晶体管的电子器件，所述电子器件包括：

栅极电极，所述栅极电极具有顶表面和侧壁；

漏极电极；

存取区域，所述存取区域包括更靠近所述栅极电极的第一部分和更靠近所述漏极电极的第二部分；和

介电膜，所述介电膜接触所述栅极电极的所述顶表面和侧壁并覆于所述存取区域上，其中：

所述介电膜是带负电的膜，并且在所述存取区域的所述第一部分上方相对较厚，并且在所述存取区域的所述第二部分上方相对较薄，或者

所述介电膜是带正电的膜，并且在所述存取区域的所述第一部分上方相对较薄，并且在所述存取区域的所述第二部分上方相对较厚。

9.根据权利要求8所述的电子器件，所述电子器件进一步包括作为所述栅极电极的一部分或电连接到所述栅极电极的栅场电极，其中所述栅场电极在所述介电膜的相对较薄的部分上方延伸，而不在所述介电膜的相对较厚的部分上方延伸。

10.一种包括高电子迁移率晶体管的电子器件，所述电子器件包括：

栅极电极；

介电膜，所述介电膜覆于所述栅极电极上并限定至所述栅极电极的开口，其中所述介电膜的一部分设置在所述开口之间；和

栅极互连件，所述栅极互连件延伸到所述介电膜的所述开口中并接触所述栅极电极和所述介电膜的所述一部分。