[发明专利]半导体器件的形成方法

说明书

一种半导体器件的形成方法，所述方法在所述第一掩模层中的第一开口内形成第一切割层的同时，在第二开口内形成第二切割层，现有的采用两道工序分别形成第一切割层和第二分割层相比，可以简化工艺操作步骤，提高工作效率。同时，在形成所述第二切割层时，可以根据实际的需要调整第二切割层在第一方向上的尺寸，进而可以调整分割后的第二开口头到头的距离，满足多样化的工艺需求。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

传统的平面的场效应晶体管对沟道电流的控制能力较弱，随之产生了一种新的互补式金氧半导体晶体管—鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor，FinFET)。

在鳍式场效应晶体管的后段制程(Back End Of Line，BEOL)的自对准双重图案化(SADP)工艺中，需要将半导体衬底上的第一掩膜层进行图案化。

但是，现有的图案化第一掩膜层的方法存在着操作复杂的问题，降低了工作效率。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何简化第一掩膜层的图案化操作，提高工作效率。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：

提供待刻蚀层；

在所述待刻蚀层上形成第一掩膜层；

在所述第一掩膜层中形成多个沿着第一方向延伸的第一开口；

在所述第一开口的侧壁形成侧墙层；

形成所述侧墙层之后，在相邻的所述第一开口之间的第一掩膜层中形成沿着所述第一方向延伸的第二开口；

在所述第一开口中形成沿着第二方向截切所述第一开口的第一切割层，在形成第一切割层的过程中，在所述第二开口中形成沿着所述第二方向截切所述第二开口的第二切割层；所述第二方向与所述第一方向垂直。

可选地，在所述待刻蚀层上形成第一掩膜层之前，还包括：在所述待刻蚀层上形成第二掩膜层；所述第一掩膜层位于所述第二掩膜层之上；在形成所述第一切割层和第二切割层之后，以所述第一掩膜层、所述侧墙层、第一切割层和所述第二切割层为掩膜刻蚀所述第二掩膜层，在第一开口底部的所述第二掩膜层中形成第三开口，在第二开口底部的第二掩膜层中形成第四开口；在所述第二掩膜层中形成第三开口和第四开口之后，去除所述第一掩膜层、所述侧墙层、第一切割层和所述第二切割层。

可选地，所述形成所述第一开口的步骤包括：在所述第一掩模层上形成图案化的第三掩膜层；以所述图案化的第三掩膜层为掩膜刻蚀所述第一掩模层，以形成所述第一开口；形成所述第一开口之后，去除所述第三掩膜层。

可选地，在形成图案化的第三掩膜层之前，还包括：在所述第一掩模层上依次形成第一SOC层和第一Si-ARC层；形成所述第一开口的过程中，以所述图案化的第三掩膜层为掩膜依次刻蚀第一Si-ARC层、所述第一SOC层和所述第一掩模层。

可选地，以所述图案化的第三掩膜层为掩膜刻蚀所述第一掩模层的工艺为第一等离子体干法刻蚀工艺，所述第一等离子体干法刻蚀工艺的刻蚀角度为90度。

可选地，形成所述第一开口的过程中，对第一掩模层与所述第二掩膜层的刻蚀选择比大于或等于100。

可选地，形成所述侧墙层的步骤包括：在所述第一掩模层的顶部表面、所述第一开口的侧壁和底部沉积侧墙材料层；回刻蚀所述侧墙材料层，去除所述第一掩模层的顶部表面和第一开口的底部的侧墙材料层，形成位于所述第一开口的侧壁上的侧墙层。

可选地，所述侧墙层的材料包括氧化钛。

可选地，所述侧墙材料层的形成工艺包括原子层沉积工艺。