[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层；

在所述待刻蚀层上形成第一掩膜层；

在所述第一掩膜层中形成多个沿着第一方向延伸的第一开口；

在所述第一开口的侧壁形成侧墙层；

形成所述侧墙层之后，在相邻的所述第一开口之间的第一掩膜层中形成沿着所述第一方向延伸的第二开口；

在所述第一开口中形成沿着第二方向截切所述第一开口的第一切割层，在形成第一切割层的过程中，在所述第二开口中形成沿着所述第二方向截切所述第二开口的第二切割层；所述第二方向与所述第一方向垂直。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述待刻蚀层上形成第一掩膜层之前，还包括：在所述待刻蚀层上形成第二掩膜层；所述第一掩膜层位于所述第二掩膜层之上；在形成所述第一切割层和第二切割层之后，以所述第一掩膜层、所述侧墙层、第一切割层和所述第二切割层为掩膜刻蚀所述第二掩膜层，在第一开口底部的所述第二掩膜层中形成第三开口，在第二开口底部的第二掩膜层中形成第四开口；在所述第二掩膜层中形成第三开口和第四开口之后，去除所述第一掩膜层、所述侧墙层、第一切割层和所述第二切割层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成所述第一开口的步骤包括：

在所述第一掩模层上形成图案化的第三掩膜层；

以所述图案化的第三掩膜层为掩膜刻蚀所述第一掩模层，以形成所述第一开口；

形成所述第一开口之后，去除所述第三掩膜层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成图案化的第三掩膜层之前，还包括：在所述第一掩模层上依次形成第一SOC层和第一Si-ARC层；形成所述第一开口的过程中，以所述图案化的第三掩膜层为掩膜依次刻蚀第一Si-ARC层、所述第一SOC层和所述第一掩模层。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，以所述图案化的第三掩膜层为掩膜刻蚀所述第一掩模层的工艺为第一等离子体干法刻蚀工艺，所述第一等离子体干法刻蚀工艺的刻蚀角度为90度。

6.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口的过程中，对第一掩模层与所述第二掩膜层的刻蚀选择比大于或等于100。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙层的步骤包括：

在所述第一掩模层的顶部表面、所述第一开口的侧壁和底部沉积侧墙材料层；

回刻蚀所述侧墙材料层，去除所述第一掩模层的顶部表面和第一开口的底部的侧墙材料层，形成位于所述第一开口的侧壁上的侧墙层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的材料包括氧化钛。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层的形成工艺包括原子层沉积工艺。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的厚度为100埃～150埃。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口的步骤包括：

在所述第一掩模层上形成图案化的第四掩膜层；

以所述图案化的第四掩膜层为掩膜刻蚀相邻的所述第一开口之间的第一掩膜层，形成所述第二开口，所述第二开口的侧壁暴露出所述侧墙层；

形成所述第二开口之后，去除所述第四掩膜层。