[发明专利]一种硅氧负极材料的制备方法

权利要求书

1.一种硅氧负极材料的制备方法，其特征是：所述制备方法具体包括如下步骤：

第一步、首先将二氧化硅压制后形成块状二氧化硅饼，然后均匀放置于电阻加热装置的加热区；

第二步、将块状二氧化硅饼加热到1000～1500℃，对电阻加热装置的腔体进行抽真空，使得腔体中的真空度≤50Pa，然后往腔体中均匀的通入硅烷气体，保持腔体内的温度恒定，整个反应过程中应保证硅烷气体与二氧化硅充分接触，SiH₄与SiO₂反应生成SiOx，通过控制反应条件调节X的值；

第三步、在电阻加热装置的冷却端经冷凝后得到硅氧产物；

第四步、将获得的硅氧产物进行粉碎，得到微米级或者纳米级的前驱体；

第五步、采用液相、固相或者气相的方式对前驱体进行碳包覆后即可得到所需的硅氧负极材料。

2.根据权利要求1所述的硅氧负极材料的制备方法，其特征是：所述第一步中二氧化硅为纳米级二氧化硅粉或将二氧化硅原料经细化、筛分后得到纳米级二氧化硅粉。

3.根据权利要求1所述的硅氧负极材料的制备方法，其特征是：所述第二步中电阻加热装置包括冷却塔(1)、收集器(2)、气压阀(3)、加热源(4)、真空阀(5)和硅烷气体储存器(6)，所述加热源(4)设置在腔体中，在加热源(4)内设有硅和二氧化硅混合物，在腔体的上面设有冷却塔(1)，在所述冷却塔(1)内设有收集器(2)，在腔体下部的一侧设有真空阀(5)，在腔体下部的另一侧设有气压阀(3)，所述气压阀(3)通过管道连接硅烷气体储存器(6)。

4.根据权利要求1所述的硅氧负极材料的制备方法，其特征是：所述第二步中硅烷为高纯度硅烷气体。

5.根据权利要求1所述的硅氧负极材料的制备方法，其特征是：所述第二步中加热时的升温速率为10min/min。

6.根据权利要求1所述的硅氧负极材料的制备方法，其特征是：所述第四步中硅氧产物通过鄂破、粉碎、气碎或球磨中的任意一种或者两种及两种以上的组合方式进行粉碎。

7.根据权利要求1所述的硅氧负极材料的制备方法，其特征是：所述第四步中硅氧产物粉碎后使硅氧产物D50在2～10um范围内。

8.根据权利要求1所述的硅氧负极材料的制备方法，其特征是：所述第五步中液相主要以沥青为碳源。

9.根据权利要求1所述的硅氧负极材料的制备方法，其特征是：所述第五步中气相主要以低碳含量的烷烃、烯烃和炔烃为主，在高温情况下进行热解，得到碳包覆层。

10.根据权利要求9所述的硅氧负极材料的制备方法，其特征是：所述热解时的温度为500～1200℃。