[发明专利]储存电路以及运作方法在审
申请号: | 202010196053.0 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN113495743A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 陈蓉;倪文娟;周浩 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | G06F8/654 | 分类号: | G06F8/654 |
代理公司: | 北京市君合律师事务所 11517 | 代理人: | 毕长生;李文晴 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 储存 电路 以及 运作 方法 | ||
一种储存电路包含一第一储存区域、一第二储存区域、一第三储存区域以及一第四储存区域。第一储存区域用以储存一第一固件数据。第二储存区域用以储存一第二固件数据。第三储存区域用以储存相应于第一固件数据的一第一状态数据。第四储存区域用以储存相应于第二固件数据的一第二状态数据。基于第一状态数据以及第二状态数据,运行第一固件数据或第二固件数据的其中一个。当运行第一固件数据时,若发生一固件更新事件,第二固件数据被更新。
技术领域
本发明中所述实施例内容涉及一种储存电路以及运作方法,特别涉及一种用以轮流更新两固件数据的储存电路以及运作方法。
背景技术
随着科技的发展,各式电子装置已被应用于许多领域。电子装置可通过运行固件数据完成特定功能。电子装置也可通过更新固件数据且运行更新后的固件数据执行一或多个新功能或修正前一版本中的错误。
发明内容
本发明的一些实施方式涉及一种储存电路。储存电路包括一第一储存区域、一第二储存区域、一第三储存区域以及一第四储存区域。第一储存区域用以储存一第一固件数据。第二储存区域用以储存一第二固件数据。第三储存区域用以储存相应于第一固件数据的一第一状态数据。第四储存区域用以储存相应于第二固件数据的一第二状态数据。基于第一状态数据以及第二状态数据,决定运行第一固件数据或第二固件数据的其中一个。当运行第一固件数据时,若发生一固件更新事件,第二固件数据被更新。
本发明的一些实施方式还涉及一种运行方法。运行方法包括:产生相应于一第一固件数据的一第一状态数据;产生相应于一第二固件数据的一第二状态数据;基于第一状态数据以及第二状态数据,运行第一固件数据或第二固件数据的其中一个;以及当运行第一固件数据时,若发生一固件更新事件,第二固件数据被更新。
综上所述,本发明的储存电路以及运作方法,可使得两固件数据为相邻版本。如此,可避免利用一固件数据恢复另一固件数据时数据发生剧烈变化,以改善使用者的使用感受。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能够更明显易懂,所附附图的说明如下:
图1是根据本发明一些实施例示出的一电子装置的示意图;
图2是根据本发明一些实施例示出的一状态数据的数据结构的示意图;
图3是根据本发明一些实施例示出的多个状态数据的示意图;
图4是根据本发明一些实施例示出的两固件数据的状态与启动数据的状态的示意图;
图5是根据本发明一些实施例示出的一运作方法的流程图;以及
图6是根据本发明一些实施例示出的一运作方法的流程图。
具体实施方式
在本文中所使用的用词“耦接”也可指“电性耦接”,用词“连接”也可指“电性连接”。“耦接”及“连接”也可指两个或多个组件相互配合或相互互动。
参考图1,图1是根据本发明一些实施例示出的电子装置100的示意图。以图1为例而言,电子装置100包括处理电路120以及储存电路140。在一些实施例中,处理电路120可利用中央处理器、微处理器或其他各种具有处理或控制功能的组件实现。在一些实施例中,储存电路140可利用闪存实现。处理电路120耦接储存电路140。在运作上,处理电路120可用以处理或控制储存电路140所储存的数据。
上述处理电路120以及储存电路140的实现方式仅为示例,处理电路120以及储存电路140的各种实现方式皆在本发明的范围中。
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