[发明专利]一种硒化物纳米棒在审
申请号: | 202010183225.0 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN111244206A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 蒋连福;董文英 | 申请(专利权)人: | 南京倍格电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/0256;H01L31/101;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360 | 代理人: | 刘兴华 |
地址: | 211100 江苏省南京市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硒化物 纳米 | ||
1.一种硒化物纳米棒,其特征在于,所述硒化物纳米棒的分子式为(Ag3xIn1-x)2Se3,x=0~0.05;其制备方法包括如下步骤:
S1、将KOH、SeO2粉、AgNO3和In(NO3)3放入反应容器中,采用机械摇晃/搅拌,充分混合反应物;所述反应容器为聚四氟乙烯制成或在其内部涂有聚四氟乙烯涂层;
S2、向反应容器中加入有机溶剂和少量的乙二胺,在惰性气体保护下,升温至80~100℃,并采用超声波搅拌,至固体全部溶解;所述乙二胺的加入量为加入有机溶剂体积的1~5%;
S3、然后在惰性气体保护下,继续升温至200~240℃,并剧烈搅拌,保温12~24小时;
S4、待其冷却至室温后,收集、离心、洗涤和干燥纳米棒产物。
2.根据权利要求1所述的硒化物纳米棒,其特征在于,所述S1步骤中KOH、SeO2粉、AgNO3和In(NO3)3按照摩尔比为100~1000:5:3x:5-3x进行投料,x=0~0.05。
3.根据权利要求1所述的硒化物纳米棒,其特征在于,所述S2步骤中有机溶剂为非配位溶剂,至少为中长链的单不饱和脂肪酸、中长链的烷基胺、中长链的单不饱和烯烃或中长链的环烷烃中的一种。
4.根据权利要求1所述的硒化物纳米棒,其特征在于,所述惰性气体至少为氮、氩、氖中的一种。
5.根据权利要求1所述的硒化物纳米棒,其特征在于,所述S4步骤具体为:
S41、将产物用去离子水溶解,清洗,再使用稀盐酸调节去除产物表面的氢氧化钾然后继续使用去离子水清洗;
S42、然后将清洗后的产物加入丙酮清洗剂中,使用超声波充分搅拌,然后进行离心;
S43、取出离心后的下层固体产物,加入异丙醇清洗剂中,使用超声波充分搅拌,然后进行离心;
S44、取出离心后的下层固体产物,重复上述S42~S42步骤2~3次;
S45、最后的离心产物在50~80℃的真空干燥箱中干燥,得到所述纳米棒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的