[发明专利]一种双面发电的PERL太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种双面发电的PERL太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.硅片预处理：将P型硅片置于HF/HNO₃混合溶液中清洗，去除所述P型硅片表面的损伤层和切割线痕，然后取出进行制绒处理；

S2.硅片背面处理：将步骤S1预处理得到的P型硅片的背面置于KOH溶液中进行抛光处理，然后用PECVD方法在P型硅片的背面淀积一层Al₂O₃层，然后在所述Al₂O₃层上淀积一层钝化膜SiNx层，所述的Al₂O₃层厚度为10-20nm，所述的钝化膜SiNx层厚度为80-100nm；

S3.硅片正面处理：采用POCl₃作为磷源，在步骤S2处理得到的P型硅片的正面进行磷扩散，形成N⁺掺杂层，并采用纳秒激光处理所述N⁺掺杂层形成选择性发射极，然后再使用PECVD方法沉积一层SiNx层，所述的SiNx层厚度为100-120nm；

S4.硅片背面重掺杂层处理：在步骤S3处理得到的P型硅片的背面采用丝网局域印刷硼浆料后烘干形成硼浆栅线，然后采用纳秒激光处理所述硼浆栅线形成局域开口，所述局域开口处具有与P型硅片直接接触的重掺杂层；

S5.栅线印刷处理：在所述局域开口处采用丝网印刷电极浆料形成背面栅线，烘干后在硅片正面进行丝网印刷银浆料形成正面银栅线，烧结后即得到所述的双面发电的PERL太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S4中，所述硼浆料的制备方法为：将硅硼合金和有机载体混匀，研磨、分散，得到硼浆料，所述硼浆料的细度≤10μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S4中，所述局域开口的宽度为40-60μm，长度为100-300μm，相邻两个所述的局域开口的间距为400-600μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述烘干的温度为200-300℃，烘干时间为4-6min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的纳秒激光频率为10-100MHz，所述的纳秒激光脉冲宽度为100-500ns。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S4中，所述重掺杂层的厚度为2-3μm，所述的重掺杂层的掺杂浓度为8×10¹⁹-5×10²⁰cm^-3。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S5中，所述电极浆料为铝浆或银铝浆。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S5中，所述背面栅线的线宽为150-210μm。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S5中，所述烧结峰值温度为875～915℃。

10.根据权利要求1～9任一项所述制备方法制备得到的双面发电的PERL太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括P型硅片；依次设置在P型硅片正面的N+掺杂层、SiNx层和正面银栅线；以及依次镀膜在P型硅片背面的Al2O3层、钝化膜SiNx层和背面栅线；所述钝化膜SiNx层上具有多个局域开口，P型硅片中沿所述局域开口向里层掺杂形成的重掺杂层，所述背面栅线设置在重掺杂层上。