[发明专利]射频器件的形成方法

说明书

本发明提供一种射频器件的形成方法，通过在所述半导体衬底中形成第一开口和第二开口；分别在所述第一开口和所述第二开口中形成氧化层，所述氧化层的表面低于所述半导体衬底的表面；在所述氧化层上形成多晶硅层，以形成源极和漏极。即通过在所述半导体衬底与所述多晶硅层之间形成所述氧化层，通过所述氧化层将所述半导体衬底和所述多晶硅层隔离，以通过所述氧化层在所述衬底与所述多晶硅层之间形成阻挡，从而降低所述多晶硅层与所述半导体衬底之间的寄生电容，即降低所述源极和所述漏极的寄生电容。进一步的，降低射频器件的寄生电容，从而提高所述射频器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种射频器件的形成方法。

背景技术

射频开关器件是一种用于通讯领域信号开关的器件，具有结构简单，使用范围广，成本低，耗电低，易于安装，可靠性极高等优点，可广泛用于载波电话切换，有线电视信号切换，有线电视信号开关等领域。在其工作时，部分区域处于导通状态，部分区域处于关断状态。射频器件是一种有很好的市场的器件。特别是随着通信技术的广泛应用，它作为一种新型功率器件将得到越来越多的重视。射频器件中存在寄生电容，通常情况下，在射频器件中需要低寄生电容，以满足射频器件的性能要求。然而，在现有的射频器件的工艺中，形成的射频器件中存在较大的寄生电容，而大型的寄生电容会严重的影响器件的性能，并且射频器件作为功率开关型处理器件，如果存在大型的寄生电容，会降低射频器件的性能，从而影响处理的能力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种射频器件的形成方法，以解决现有技术中射频器件存在较大的寄生电容的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种射频器件形成方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成第一开口和第二开口；

分别在所述第一开口和所述第二开口中形成氧化层，所述氧化层的表面低于所述半导体衬底的表面；

在所述氧化层上形成多晶硅层，以形成源极和漏极；以及，

形成栅极结构，所述栅极结构位于所述源极和所述漏极之间的所述半导体衬底上。

可选的，在所述的射频器件的形成方法中，分别在所述第一开口和所述第二开口中形成氧化层的方法包括：

分别在所述第一开口和所述第二开口中形成第一氧化材料层；

对所述第一氧化材料层进行研磨以形成第二氧化材料层；

去除部分厚度的所述第二氧化材料层，以形成所述氧化层。

可选的，在所述的射频器件的形成方法中，通过干法刻蚀回刻的方法去除部分厚度的所述第二氧化材料层，以形成所述氧化层。

可选的，在所述的射频器件的形成方法中，所述氧化层为氧化硅层。

可选的，在所述的射频器件的形成方法中，所述氧化层的厚度为1000埃- 2000埃。

可选的，在所述的射频器件的形成方法中，所述半导体衬底表面形成有介质层，所述第一开口和所述第二开口均延伸贯穿所述介质层。

可选的，在所述的射频器件的形成方法中，所述介质层包括氧化硅层和位于所述氧化硅层上的氮化硅层。

可选的，在所述的射频器件的形成方法中，在所述氧化层上形成多晶硅层后，所述射频器件的形成方法还包括：去除所述介质层，以暴露出所述半导体衬底。

可选的，在所述的射频器件的形成方法中，在所述氧化层上形成多晶硅层，以形成源极和漏极的步骤中，形成的所述多晶硅层的表面高于所述半导体衬底的表面。

可选的，在所述的射频器件的形成方法中，所述多晶硅层的厚度为100埃- 500埃。