[发明专利]制作光学薄膜的方法、膜系结构、镀膜方法、激光反射镜有效
申请号: | 202010164265.0 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN111235527B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 卫耀伟;王震;张飞;李树刚;唐明;吴倩;潘峰;罗晋;罗振飞;刘民才;张清华;王健;许乔 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | C23C14/10 | 分类号: | C23C14/10;C23C14/08;C23C14/46;C23C14/54;G02B1/10;G02B5/08 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 付兴奇 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作 光学薄膜 方法 结构 镀膜 激光 反射 | ||
1.一种膜系结构,其特征在于,属于非调谐的多层膜系,总厚度为8微米的膜系结构具有38层且由下述形式表示:
G/(19.8H)(59.04L)(60.7H40.04L)2(202.8H)(173.4L)(173.6H199.2L)4(173.6H199.2L)7(173.6H 199.2L)3(120.4H)(140.3L)/AIR;
其中,G代表基板,Air代表空气,H表示作为高折射率材料的二氧化铪,L表示作为低折射率材料的二氧化硅;
19.8H表示二氧化铪的厚度为19.8纳米,59.04L表示二氧化硅的厚度为59.04纳米,依次类推;
第一膜堆为:
(19.8H)(59.04L)(60.7H40.04L)2(202.8H)(173.4L)(173.6H199.2L)4;
第二膜堆为:(173.6H199.2L)7;
第三膜堆为:(173.6H 199.2L)3(120.4H)(140.3L)。
2.根据权利要求1所述的膜系结构,其特征在于,所述第一膜堆是非规整膜,和/或,所述第二膜堆为规整膜。
3.根据权利要求1所述的膜系结构,其特征在于,所述膜系结构的面形精度峰谷值小于等于350纳米。
4.根据权利要求1所述的膜系结构,其特征在于,所述膜系结构在1053纳米的损伤阈值大于等于40J/cm2。
5.根据权利要求1所述的膜系结构,其特征在于,所述膜系结构的反射率具有下述特性:
在1053纳米处的P偏光反射率大于等于99.5%;
在450纳米至700纳米之间的反射率大于50%;
在351纳米处的反射率大于50%且小于70%。
6.一种镀膜方法,用于制作如权利要求1至5中任意一项所述的膜系结构,其特征在于,所述方法包括:
提供镀膜环境,所述镀膜环境具有容器、留置于容器内的基板,容器的本底真空度为1.5×10-4Pa、在80℃的温度下保温6小时;
制作第一膜堆,在0.12nm/s的沉积速度、800V和400mA、真空度为2.7×10-4Pa条件下制作二氧化铪,在0.5nm/s的沉积速度、350V和350mA、真空度为2.1×10-4Pa条件下制作二氧化硅;
制作第二膜堆,在0.5nm/s的沉积速度、1000V和400mA、真空度为2.9×10-4Pa条件下制作二氧化铪,在0.8nm/s的沉积速度、400V和400mA、真空度为2.0×10-4Pa条件下制作二氧化硅;
制作第三膜堆,在0.1nm/s的沉积速度、1000V和400mA、真空度为2.7×10-4Pa条件下制作二氧化铪,在0.4nm/s的沉积速度、400V和400mA、真空度为2.1×10-4Pa条件下制作二氧化硅。
7.一种制作光学薄膜的方法,其特征在于,所述光学薄膜具有如权利要求1至5中任意一项所述的膜系结构,所述方法以包含光谱指标、面形指标以及损伤指标的综合指标为基准,在基板上制备薄膜,所述方法包括:
在基板之上,制作满足光谱指标的第一膜堆;
在第一膜堆之上,制作满足面形指标的第二膜堆;
在所述第二膜堆之上,制作满足损伤指标的第三膜堆。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,第一膜堆、第二膜堆以及第三膜堆分别通过不同的镀膜参数进行沉积镀膜。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在制作第一膜堆、第二膜堆以及第三膜堆的步骤中,镀膜参数包括沉积速率、离子源能量以及真空度。
10.一种激光反射镜,其特征在于,基板和具有如权利要求1至5中任意一项所述的膜系结构。
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