[发明专利]光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车在审
申请号: | 202010160103.X | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN112447774A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 权镐楠;石井浩一;藤原郁夫;铃木和拓 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G01S17/894;G01S17/931;G01S7/4861;G01S7/4913;G01S7/481 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测器 检测 系统 激光雷达 装置 | ||
提供能够提高性能的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式,光检测器包括导电层、第1元件、第2元件、导电性的第1构件、第1绝缘部及第2绝缘部。导电层包括第1导电部分及第2导电部分。第1构件设置于第1元件与第2元件之间。第1构件与导电层电连接。第1绝缘部设置于第1元件与第1构件之间。第2绝缘部设置于第2元件与第1构件之间。
本申请以日本专利申请2019-157217(申请日2019年8月29日)为基础,根据该申请而享有优先的利益。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式一般来说涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。
背景技术
光检测器对入射到包含半导体的元件的光进行检测。关于光检测器,期望性能的提高。
发明内容
本发明的实施方式提供能够提高性能的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。
根据本发明的实施方式,光检测器包括导电层、第1元件、第2元件、导电性的第1构件、第1绝缘部及第2绝缘部。所述导电层包括第1导电部分及第2导电部分。所述第1元件包括第1导电型的第1半导体层和第2导电型的第2半导体层。所述第2半导体层在与从所述第1导电部分朝向所述第2导电部分的第1方向交叉的第2方向上设置于所述第1导电部分与所述第1半导体层之间。所述第2元件包括所述第1导电型的第4半导体层和所述第2导电型的第5半导体层。所述第5半导体层在所述第2方向上设置于所述第2导电部分与所述第4半导体层之间。所述第1构件设置于所述第1元件与所述第2元件之间。所述第1构件与所述导电层电连接。所述第1绝缘部设置于所述第1元件与所述第1构件之间。所述第2绝缘部设置于所述第2元件与所述第1构件之间。
根据上述构成的光检测器,能够提高性能。
附图说明
图1是例示第1实施方式的光检测器的示意性俯视图。
图2的(a)及图2的(b)是例示第1实施方式的光检测器的示意性剖视图。
图3的(a)及图3的(b)是例示第1实施方式的光检测器的制造工序的示意性剖视图。
图4的(a)及图4的(b)是例示第1实施方式的光检测器的制造工序的示意性剖视图。
图5的(a)及图5的(b)是例示第2实施方式的光检测器的示意性剖视图。
图6是例示第3实施方式的光检测器的示意性俯视图。
图7是例示第4实施方式的光检测器的示意性俯视图。
图8是例示第5实施方式的光检测器的示意性俯视图。
图9的(a)及图9的(b)是例示第5实施方式的光检测器的示意性剖视图。
图10的(a)及图10的(b)是例示第6实施方式的光检测器的示意性剖视图。
图11的(a)及图11的(b)是例示第7实施方式的光检测器的示意性剖视图。
图12是例示第8实施方式的激光雷达装置的示意图。
图13是用于说明激光雷达装置的检测对象的检测的图。
图14是具备第8实施方式的激光雷达装置的车的俯视概略图。
标号说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的