[发明专利]水基陶瓷浆料、陶瓷薄膜的制备方法和片式多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种水基陶瓷浆料，其特征在于，以所述水基陶瓷浆料的总重量为100份计，所述水基陶瓷浆料包括以下重量份组分：

其中，所述水基陶瓷浆料的pH为7-9。

2.根据权利要求1所述的水基陶瓷浆料，其特征在于，所述聚羧酸盐选自聚羧酸铵、聚羧酸钠和聚羧酸钾中的至少一种；和/或

所述邻苯二甲酸酯选自邻苯二甲酸二正丁酯、邻苯二甲酸二辛酯和邻苯二甲酸二甲酯中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的水基陶瓷浆料，其特征在于，所述钛酸钡粉体的重量为62-66份；和/或

所述聚羧酸盐的重量为1-2份；和/或

所述聚丙烯酸酯的重量为5-5.5份；和/或，所述邻苯二甲酸酯与所述聚丙烯酸酯的重量比为0.6-0.9。

4.根据权利要求1至3任一项所述的水基陶瓷浆料，其特征在于，以所述水基陶瓷浆料的总重量为100份计，所述水基陶瓷浆料包括以下重量份组分：

其中，所述水基陶瓷浆料的pH为8。

5.一种陶瓷薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供如权利要求1至4任一项所述的水基陶瓷浆料；

将所述水基陶瓷浆料进行流延成型，获得所述陶瓷薄膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用流延成型工艺将所述水基陶瓷浆料进行流延的步骤中，调整刮刀的高度为30-90微米。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述水基陶瓷浆料的制备方法包括以下步骤：

将钛酸钡粉体、聚羧酸盐和水混合，进行第一混料处理，调节pH7-9，获得第一混合物；

将聚丙烯酸酯、邻苯二甲酸酯、消泡剂与所述第一混合物混合，进行第二混料处理。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，进行第二混料处理的步骤之后还包括：进行真空除气处理，获得所述水基陶瓷浆料；和/或

所述第一混料处理和/或所述第二混料处理采用球磨的方法；和/或

所述第一混料处理和所述第二混料处理的时间总和为7-10小时。

9.一种片式多层陶瓷电容器，其特征在于，包括陶瓷芯片，所述陶瓷芯片由若干陶瓷介质膜片叠合以及烧结而成；

其中，所述陶瓷介质膜片为由权利要求5至8任一项所述的制备方法制得的陶瓷薄膜。

10.根据权利要求9所述的片式多层陶瓷电容器，其特征在于，所述陶瓷介质膜片的个数为5-30。