[发明专利]用于从转移的压电层或铁电层产生微机电系统的方法

权利要求书

1.一种用于制造微机电系统的方法，包括以下步骤：

-在临时衬底(100)的表面上产生堆叠以产生第一组件，包括：

-至少沉积压电材料或铁电材料以产生压电材料层或铁电材料层(300)；

-产生第一键合层(500a，500b)；

-产生第二组件，包括至少在主衬底(700)的表面上产生第二键合层(500c)；

-在两个组件中的至少一个组件中产生至少一个声隔离结构；

-在两个组件中的至少一个组件中产生至少一个包括一个或多个电极的电极层；

-在两个组件中的至少一个组件中产生至少一个电极层之前或之后，通过两个键合层键合所述两个组件；

-移除所述临时衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述压电材料或所述铁电材料是通过外延生长而沉积的。

3.根据权利要求1和权利要求2中的任一项所述的方法，其中，所述微机电系统包括至少一个体声波谐振器、至少一个面声波谐振器或至少一个兰姆波谐振器。

4.根据权利要求1至3的任一项所述的方法，其中，所述键合包括热退火步骤。

5.根据权利要求1至4的任一项所述的方法，其中，移除所述临时衬底的操作包括：

-减薄所述临时衬底的步骤；

-化学蚀刻减薄后的临时衬底的操作。

6.根据权利要求1至4的任一项所述的方法，其中，移除所述临时衬底的操作包括：

-使在制造所述临时衬底的材料中引起沉淀或化学反应的元素扩散的步骤，或者

-向所述临时衬底中植入离子的步骤。

7.根据权利要求1至6的任一项所述的方法，其包括：在沉积所述压电材料或所述铁电材料之前，在所述临时衬底(100)的表面上沉积缓冲层(200)。

8.根据权利要求1至7的任一项所述的方法，其包括：

-在介电材料上方产生牺牲层；

-构造所述牺牲层以定义牺牲层结构；

-在所述牺牲层结构上方沉积电介质；

-移除所述牺牲层结构以定义所述声隔离结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述介电材料为可以是SiO₂的氧化物，所述牺牲层由非晶硅或多晶硅制成。

10.根据权利要求8和权利要求9中的任一项所述的方法，其中，产生所述声隔离结构包括：

-在所述第一组件中产生至少一个牺牲层(600)；

-将所述两个组件键合后释放所述牺牲层结构。

11.根据权利要求1至7的任一项所述的方法，其中，产生所述声隔离结构包括产生布拉格镜结构。

12.根据权利要求11所述的方法，其包括：产生由金属并且可能由钼制成的结构化层，所述结构化层被插入到可以是SiO₂的电介质中。

13.根据权利要求1至12的任一项所述的方法，其包括：

-在所述两个组件的键合之前，在所述压电材料层或铁电材料层的表面上产生至少一个所谓的底电极(400)并且在所述第一组件中产生声隔离结构；

-在移除所述临时衬底之后，在所述压电材料层或铁电材料层上产生至少一个所谓的顶电极(800)。

14.根据权利要求1至12的任一项所述的方法，其包括，在所述两个组件的键合之前：

-在所述压电材料层或铁电材料层的表面上产生电极；

-在所述第二组件中产生声隔离结构。