[发明专利]测试结构及测试方法在审
申请号: | 202010139031.0 | 申请日: | 2020-03-03 |
公开(公告)号: | CN112687561A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 吕学翰;饶瑞修 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇;董云海 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 结构 方法 | ||
本发明公开了一种测试结构及测试方法,测试结构包含第一层、第二层以及第三层。第一层包含第一图案。第三层包含第二图案。第一层,第二层以及第三层彼此重叠。第二层连接于基于电荷的电容(CBCM)测试电路。本发明的测试结构不仅能够检测各种结构的电阻和泄漏,还能够检测其他互连层的电阻和泄漏。
技术领域
本发明是有关于一种测试结构及测试方法,且特别是有关于检测堆叠结构的多个层的测试结构及测试方法。
背景技术
随着晶体管尺寸的不断缩小,互连延迟决定了电路的性能。此外,当互连变得更多层、更复杂、更近时,两条导线之间的交叉耦合效应就成为噪音源,可能导致芯片故障。因此,如何取得精确的互连参数以进行电路模拟或电路故障分析是十分重要的。
许多测试结构被提出以测量互连耦合电容。其中一种方法是基于电荷的电容(CBCM)测试电路,负载电容的值是通过提供给逆变器的平均电流和给定的时钟频率以取得。
然而,CBCM测试结构只能测量各种互连的寄生电容,这导致测试元件组(TEG)的设计需要庞大的互连结构来计算电容。
发明内容
本发明的目的在于提供一种测试结构,其不仅能够检测各种结构的电阻和泄漏,还能够检测其他互连层的电阻和泄漏。
本发明的一方面是在提供一种测试结构,包含第一层、第二层以及第三层。第一层包含第一图案。第三层包含第二图案。第一层,第二层,以及第三层彼此重叠。第二层连接于基于电荷的电容(CBCM)测试电路。
在部分实施例中,第一图案为梳状构造。
在部分实施例中,第二图案为蛇状构造。
在部分实施例中,第二层设置于第一层之上,且第三层设置于第二层之上。
在部分实施例中,第二层的寄生电容由CBCM测试电路进行测试,且第一层的至少一个电路特征以及第三层的至少一个电路特征由另一测试电路进行测试。
本发明的另一方面是在提供一种测试方法,适用于测试结构。测试结构包含第一层、第二层以及第三层,其中测试方法包含:由CBCM测试电路测试第二层;以及由另一测试电路测试第一层以及第三层。第一层包含第一图案且第三层包含第二图案。第一层、第二层以及第三层彼此重叠。
在部分实施例中,第一图案为梳状构造。
在部分实施例中,第二图案为蛇状构造。
在部分实施例中,第二层设置于第一层之上,且第三层设置于第二层之上。
在部分实施例中,第二层的寄生电容由CBCM测试电路进行测试,且第一层的至少一个电路特征以及第三层的至少一个电路特征由另一测试电路进行测试。
因此,与现有技术相比,本发明的实施例通过提供一种测试结构及测试方法,不仅能够检测各种结构的电阻和泄漏,还能够检测其他互连层的电阻和泄漏。此外,用于测试的测试元件组(TEG)的体积也较小。
附图说明
为让本发明之上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,结合附图说明如下:
图1为根据本发明一些实施例所绘示的测试结构的示意图;
图2为根据本发明一些实施例所绘示的层的示意图;
图3为根据本发明一些实施例所绘示的层的示意图;
图4为根据本发明一些实施例所绘示的CBCM测试电路的示意图;以及
图5为根据本发明一些实施例所绘示的测试方法的流程图。
主要附图标记说明:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造