[发明专利]测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 202010139031.0 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN112687561A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 吕学翰;饶瑞修 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 结构 方法 | ||
1.一种测试结构，其特征在于，包含：
第一层，包含第一图案；
第二层；以及
第三层，包含第二图案；
其中所述第一层，所述第二层以及所述第三层彼此重叠，
其中所述第二层连接于基于电荷的电容(CBCM)测试电路。
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一图案为梳状构造。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二图案为蛇状构造。
4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二层设置于所述第一层之上，且所述第三层设置于所述第二层之上。
5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二层的寄生电容由所述CBCM测试电路进行测试，且所述第一层的至少一个电路特征以及所述第三层的至少一个电路特征由另一测试电路进行测试。
6.一种测试方法，适用于测试结构，其特征在于，所述测试结构包含第一层、第二层以及第三层，其中所述测试方法包含：
由CBCM测试电路测试所述第二层；以及
由另一测试电路测试所述第一层以及所述第三层；
其中所述第一层包含第一图案且所述第三层包含第二图案，其中所述第一层、所述第二层以及所述第三层彼此重叠。
7.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述第一图案为梳状构造。
8.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述第二图案为蛇状构造。
9.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述第二层设置于所述第一层之上，且所述第三层是设置于所述第二层之上。
10.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述第二层的寄生电容由所述CBCM测试电路进行测试，且所述第一层的至少一个电路特征以及所述第三层的至少一个电路特征是由另一测试电路进行测试。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
