[发明专利]溅射装置及利用其的溅射方法

说明书

本公开的一实施例公开了一种溅射装置，包括：腔室，分别安装有溅射对象体和目标物；和磁铁部，在所述目标物形成磁场并沿着第一方向往返移动，所述磁铁部具备一个以上的单元磁铁，所述单元磁铁包括沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的中心磁铁、以及隔开预定间隔围绕所述中心磁铁的外围磁铁，所述中心磁铁在沿着所述第二方向的端部的宽度相比于所述中心磁铁的本体的中心部更窄。

技术领域

本公开涉及一种利用磁场来执行蒸镀作业的溅射装置及利用其的溅射方法。

背景技术

例如，适用于显示装置的薄膜晶体管等通过如磁控管溅射那样利用磁场的蒸镀过程而被制造。即，利用磁场对准备的蒸镀用目标物进行溅射，从而在作为蒸镀对象材料的显示装置的基板上形成所需图案的薄膜。

发明内容

但是，在进行溅射的过程中，可能会发生蒸镀用目标物没有被整体均匀消耗，而是特定部位被集中消耗的现象。这种现象主要是因为溅射时所产生的等离子体能量集中在特定部位而发生。这种情况下，因特定部位的过度消耗，而只能提前替换还充分剩余的目标物，从而可能会对生产性带来大的负面影响。

本公开的实施例提供一种溅射装置及利用其的溅射方法，其改善为能够防止目标物的特定部位过度消耗的现象，从而实现稳定的蒸镀工艺。

本公开实施例提供一种溅射装置，包括：腔室，分别安装有溅射对象体和目标物；和磁铁部，在所述目标物形成磁场并沿着第一方向往返移动，所述磁铁部具备一个以上的单元磁铁，所述单元磁铁包括沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的中心磁铁、以及隔开预定间隔围绕所述中心磁铁的外围磁铁，所述中心磁铁在沿着所述第二方向的端部的宽度相比于所述中心磁铁的本体的中心部更窄。

可以是，所述中心磁铁的本体的中心部为恒定宽度，所述端部的宽度沿着所述第二方向越向外侧逐渐变窄。

可以是，围绕所述中心磁铁的所述外围磁铁的内部空间的宽度在所述第二方向上的端部相比于在所述中心磁铁的本体的中心部更窄。

可以是，在所述中心磁铁的本体的中心部，所述外围磁铁的内部空间为恒定宽度，在所述端部，所述内部空间的宽度沿着所述第二方向越向外侧逐渐变窄。

可以是，所述外围磁铁的内部空间的宽度在所述端部形成段差并阶段性变窄。

可以是，所述外围磁铁的内部空间的宽度在所述端部形成倾斜并连续变窄。

可以是，所述中心磁铁的宽度开始变窄的位置与所述外围磁铁的内部空间的宽度开始变窄的位置沿着所述第二方向一致。

可以是，所述中心磁铁的宽度开始变窄的位置与所述外围磁铁的内部空间的宽度开始变窄的位置沿着所述第二方向不一致。

可以是，多个所述单元磁铁沿着所述第一方向配置，当将各个所述单元磁铁的所述外围磁铁的宽度定义为t1，将相邻的所述外围磁铁的末端部之间的间隔定义为d1，将各个所述单元磁铁的所述第一方向上的移动距离定义为SL，将相邻的所述中心磁铁的本体的中心部之间的间隔定义为W时，满足W＝d1+3·t1SL的关系。

可以是，在进行蒸镀作业时，在所述对象体和所述目标物之间形成与所述中心磁铁和所述外围磁铁之间的间隔对应的形状的等离子体。

除了上述内容之外的其他方面、特征、益处通过以下的附图、权利要求书及本公开的具体说明就会清楚。

附图说明

图1为概略示出本公开的一实施例的溅射装置的结构的主视图。

图2为示出图1中所示的溅射装置中的磁铁部、目标物、基板、掩膜的重叠配置关系的俯视图。

图3A为示出图1中所示的溅射装置中的磁铁部的俯视图。

图3B为示出图3A的比较例的俯视图。