[发明专利]一种单面非晶硅的沉积方法在审
| 申请号： | 202010129180.9 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111261751A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 闫宝杰;叶继春;曾俞衡;郑晶茗;陈晖;王玉明 | 申请（专利权）人： | 苏州拓升智能装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 祁云珊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单面 非晶硅 沉积 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，包含以下步骤：
步骤1，在硅片的正面沉积一层10～100nm厚的沉积层，所述沉积层为氮化硅层、氧化硅层或氧化铝层中的任意一种；
步骤2，在硅片背面沉积1～5nm厚的超薄遂穿层，在超薄遂穿层上沉积10～500nm厚的非晶硅层；
步骤3，清洗硅片正面及边缘的沉积层，只留下背面的超薄遂穿层与非晶硅层。
2.如权利要求1所述的单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，步骤1中氮化硅和氧化硅层的沉积方法为板式PECVD法、管式PECVD法及电感耦合PECVD(ICP)中的至少一种。
3.如权利要求2所述的单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，PECVD法中采用的反应气体为硅烷与氮气、硅烷与氨气(NH3)硅烷与笑气(N2O)或者硅烷与二氧化碳中的任意一种组合。
4.如权利要求1所述的单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，步骤1中氧化铝层的沉积方法为管式PECVD、板式PECVD、电感耦合PECVD或ALD法中的至少一种。
5.如权利要求1所述的单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，步骤3中清洗硅片正面及边缘的沉积层的方法为湿化学清洗法。
6.如权利要求5所述的单面非晶硅的沉积方法，其特征在于，所述湿化学清洗法包括采用HF酸溶液清洗法。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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