[发明专利]互连结构及其形成方法

权利要求书

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括有源区；

在所述衬底上形成介质层，所述介质层具有贯穿所述介质层的开口，所述开口暴露所述有源区的表面；

在所述开口的底部形成第一金属层；

形成所述第一金属层之后，对所述第一金属层中的顶部区域进行钝化处理，形成第一阻挡层；

在形成所述第一阻挡层之后，进行退火处理，使所述开口底部剩余的第一金属层与所述有源区表面的材料反应以形成金属硅化物层；

在形成所述金属硅化物层之后，在所述第一阻挡层的表面、所述开口的侧壁形成第二阻挡层；以及

在形成所述第二阻挡之后，在所述开口中形成填满所述开口的第二金属层。

2.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属层的材料包括钛，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的材料均包括氮化钛。

3.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在进行所述钝化处理之前，所述第一金属层的厚度为100埃至160埃。

4.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为20埃至25埃。

5.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡层的厚度为10埃至40埃。

6.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述钝化处理包括氮气等离子体处理。

7.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理包括动态表面退火处理。

8.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一金属层的工艺为物理气相沉积工艺。

9.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二阻挡层的工艺包括原子层沉积工艺。

10.一种互连结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括有源区；

介质层，位于所述衬底上并具有贯穿所述介质层的开口，所述开口位于所述有源区上；

金属硅化物层，位于所述开口的底部的有源区表面；

第一阻挡层，位于所述金属硅化物层表面；

第二阻挡层，位于所述第一阻挡层的表面以及所述开口的侧壁，且所述开口的侧壁的第二阻挡层与所述介质层接触；以及

第二金属层，位于所述第二阻挡层的表面并填满所述开口。

11.如权利要求10所述的互连结构，其特征在于，所述金属硅化物层的厚度为75埃至140埃。

12.如权利要求10所述的互连结构，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为20埃至25埃。

13.如权利要求10所述的互连结构，其特征在于，所述第二阻挡层的厚度为10埃至40埃。

14.如权利要求10所述的互连结构，其特征在于，所述金属硅化物层的材料包括硅化钛，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的材料包括氮化钛。