[发明专利]铟锆氧化物靶材及其制法及铟锆氧化物薄膜

说明书

本发明提供一种铟锆氧化物靶材及其制法及铟锆氧化物薄膜，其包含铟、锆及氧，其中锆原子数相对于铟及锆的原子总数的比值大于或等于0.18且小于或等于0.40，且该铟锆氧化物靶材的平均体电阻率大于或等于8×10^‑3欧姆‑厘米且小于或等于5×10^‑2欧姆‑厘米。以此铟锆氧化物靶材溅镀形成的铟锆氧化物薄膜的片电阻值大于或等于1×10⁷欧姆/单位面积且小于或等于1×10¹⁰欧姆/单位面积，此高片电阻值的铟锆氧化物薄膜可应用于内嵌式触控面板。

技术领域

本发明涉及一种氧化物靶材及其所溅镀而成的氧化物薄膜，尤指一种铟锆氧化物靶材及其所溅镀而成的铟锆氧化物薄膜。

背景技术

在内嵌式触控面板中，触控效果的好坏取决于显示面板上的薄膜的特性。通常，会在组件中设置一层高电阻薄膜，该层薄膜需具备片电阻值为10⁷欧姆/单位面积(Ω/sq)至10¹⁰Ω/sq的高电阻特性，才具有抗干扰与防静电的功能，以实现良好的图像显示与触控功能。

高电阻薄膜的成膜方式可分为旋转涂布及物理气相沉积(PVD)两种。旋转涂布法多搭配溶胶及凝胶(sol-gel)法在基板上形成高电阻薄膜，此方法虽可得到大面积、成本低及产率高的高电阻薄膜，但大部分的涂液在涂布期间损耗且不适合应用于大尺寸的基板，因此旋转涂布法现已被物理气相沉积法取代。物理气相沉积法可较佳地控制薄膜厚度，且所制成的薄膜硬度高及附着力佳，因此广泛应用于高电阻薄膜的制造。

然而，目前的内嵌式触控面板尚未完全导入以物理气相沉积方法制作的抗干扰与抗静电薄膜，主要是因为利用物理气相沉积制备高电阻薄膜仍存在透光率偏低以及耐候性较差的问题。以上缺点皆导致内嵌式触控面板的触控效果不甚理想，从而限制了内嵌式触控面板的发展。

发明内容

为克服现有技术所面临的问题，本发明的主要目的在于提供一种氧化物靶材，其所溅镀形成的氧化物薄膜具有高电阻及高透光率的特性。

为达成前述目的，本发明提供一种铟锆氧化物靶材，其包含铟、锆及氧，其中锆的原子数相对于铟及锆的原子总数的比值大于或等于0.18且小于或等于0.40，且该铟锆氧化物靶材的平均体电阻率大于或等于8×10^-3欧姆-厘米(Ω-cm)且小于或等于5×10^-2Ω-cm。

以此铟锆氧化物靶材溅镀形成的铟锆氧化物薄膜的片电阻值大于或等于1×10⁷Ω/sq且小于或等于1×10¹⁰Ω/sq，此高电阻的铟锆氧化物薄膜可适用于内嵌式触控面板的抗干扰及防静电的薄膜。

优选地，该铟锆氧化物靶材中锆的原子数相对于铟及锆的原子总数的比值大于或等于0.22且小于或等于0.35。

优选地，所述铟锆氧化物靶材的体电阻率不均匀度小于1.5％；更优选地，所述铟锆氧化物靶材的体电阻率不均匀度小于或等于1.2％。

依据本发明，所述铟锆氧化物靶材的相对密度为大于98％，优选地，所述铟锆氧化物靶材的相对密度为大于99％。于此，铟锆氧化物靶材的相对密度的大小可作为判断铟锆氧化物靶材结构的致密性的指标。当一铟锆氧化物靶材的相对密度越高，表示其结构越致密；而当一铟锆氧化物靶材的相对密度越低，则代表其结构越松散。

依据本发明，所述铟锆氧化物靶材的X光衍射(XRD)光谱中的衍射峰皆可对应于三氧化二铟(In₂O₃)标准品和二氧化锆(ZrO₂)标准品的衍射峰。

依据本发明，所述铟锆氧化物靶材的组成包含In₂O₃与ZrO₂，且两者均匀地分布于铟锆氧化物靶材中。