[发明专利]一种同心圆单晶硅电池处理方法

说明书

本申请公开了一种同心圆单晶硅电池处理方法，包括：将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度，以实现对成品同心圆单晶硅电池的高温预处理；将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第二预设温度范围内且持续第二预设时间长度，并对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对成品同心圆单晶硅电池的第一次低温光照处理。本申请公开的上述技术方案，通过高温预处理和低温光照处理实现对成品同心圆单晶硅电池内部所存在的同心圆的钝化，以在不降低单晶硅电池效率的情况下对单晶硅电池中所产生的的同心圆进行处理，从而降低同心圆对单晶硅电池和光伏组件的影响，并便于实现同心圆处理的产业化应用。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种同心圆单晶硅电池处理方法。

背景技术

在太阳能电池中，单晶硅片主要通过直拉法进行制备，其中，氧是直拉单晶硅中的主要杂质，其来源于晶体生长过程中石英坩埚的污染，且其可以与空位结合形成微缺陷，也可以形成氧沉淀，从而导致诱导缺陷。在单晶硅电池的制备过程中，高温处理工艺会加剧氧杂质的影响，从而导致电池同心圆的产生，而同心圆作为一种缺陷不仅会降低单晶硅电池的转换效率，而且会导致光伏组件发生降级，从而降低光伏组件的良品率。

目前，一般是通过如下两种方式来降低同心圆对单晶硅电池和同心圆的影响：一种是改善单晶硅电池的制备工艺，如降低扩散温度，以降低氧沉淀的生成，另一种是增加单晶硅电池的制备工序，具体为通过TR(TabulaRasa)高温预处理技术来降低氧沉淀的生成，但是，就第一种方法而言，由于工艺调整的窗口非常有限，因此，很难在不降低单晶硅电池转换效率的情况下改善同心圆，例如在优化扩散温度时则会对扩散过程产生影响，从而使得扩散过程达不到原有的效果，而就第二种方法而言，TR高温预处理技术目前仅停留在实验室研究阶段，且由于TR高温预处理技术需要1100℃的温度，因此，对设备的需求非常高，很难实现产业化应用。

综上所述，如何在尽量不对单晶硅电池效率产生影响的情况下对单晶硅电池中所产生的同心圆进行处理，以降低同心圆对单晶硅电池和光伏组件的影响，并便于实现同心圆处理的产业化应用，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的是提供一种同心圆单晶硅电池处理方法，用于在尽量不对单晶硅电池效率产生影响的情况下对单晶硅电池中所产生的的同心圆进行处理，以降低同心圆对单晶硅电池和光伏组件的影响，并便于实现同心圆处理的产业化应用。

为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：

一种同心圆单晶硅电池处理方法，包括：

预先得到成品单晶硅电池，并从所述成品单晶硅电池中筛选出成品同心圆单晶硅电池；

将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的高温预处理；其中，所述第一预设温度范围的最小值大于等于第一阈值，所述第一预设温度范围的最大值小于等于第二阈值；

将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第二预设温度范围内且持续第二预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第一次低温光照处理；其中，所述第二预设温度范围的最小值大于等于第三阈值，所述第二预设温度范围的最大值小于等于所述第一预设温度范围的最小值。

优选的，在实现对所述成品同心圆单晶硅电池的低温光照处理之后，还包括：

将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第三预设温度范围内且持续第三预设时间长度，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的低温预处理；其中，所述第三预设温度范围的最小值大于等于所述第三阈值，所述第三预设温度范围的最大值小于等于所述第一预设温度范围的最小值；