[发明专利]一种同心圆单晶硅电池处理方法

权利要求书

1.一种同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，包括：

预先得到成品单晶硅电池，并从所述成品单晶硅电池中筛选出成品同心圆单晶硅电池；

将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的高温预处理；其中，所述第一预设温度范围的最小值大于等于第一阈值，所述第一预设温度范围的最大值小于等于第二阈值；

将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第二预设温度范围内且持续第二预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第一次低温光照处理；其中，所述第二预设温度范围的最小值大于等于第三阈值，所述第二预设温度范围的最大值小于等于所述第一预设温度范围的最小值；

在实现对所述成品同心圆单晶硅电池的低温光照处理之后，还包括：

将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第三预设温度范围内且持续第三预设时间长度，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的低温预处理；其中，所述第三预设温度范围的最小值大于等于所述第三阈值，所述第三预设温度范围的最大值小于等于所述第一预设温度范围的最小值；

将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理；其中，所述第四预设温度范围的最小值大于等于所述第三阈值，所述第四预设温度范围的最大值小于等于所述第一预设温度范围的最小值。

2.根据权利要求1所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，在将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理之后，还包括：

重复执行多次所述将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第三预设温度范围内且持续第三预设时间长度，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的低温预处理；将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理的步骤。

3.根据权利要求2所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，所述第一预设温度范围为450～700℃，所述第一预设时间长度为1～90s；

所述第二预设温度范围为200～450℃，所述第二预设时间长度为1～600s。

4.根据权利要求3所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，所述第一预设温度范围为550～650℃。

5.根据权利要求2所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，所述第三预设温度范围为200～450℃，所述第三预设时间长度为1～90s；

所述第四预设温度范围200～450℃，所述第四预设时间长度为1～600s。

6.根据权利要求5所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，所述第三预设温度范围为300～400℃。

7.根据权利要求1至6任一项所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，在将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度时，还包括：

对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理。

8.根据权利要求7所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，包括：

对所述成品同心圆单晶硅电池进行光强为500-100000W/m²且光源波长为350-2000nm的光照处理。