[发明专利]一种基于e-fuse芯片的保护电路

权利要求书

1.一种基于e-fuse芯片的保护电路，其特征在于，包括e-fuse芯片和三个并联设置的MOSFET；三个MOSFET分别为Q1、Q2、Q3；e-fuse芯片的GATE端口直接与Q3的G极连接，e-fuse芯片的GATE端口通过驱动模块与Q1、Q2的G极连接；三个并联设置的MOSFET的S极为保护电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的基于e-fuse芯片的保护电路，其特征在于，e-fuse芯片的GND端口接地，同时GND端口连接电容后与保护电路的输出端连接；保护电路的输入分别与e-fuse芯片的VCC端口和HS⁺端口连接；保护电路的输入还通过精密电阻与e-fuse芯片的HS^-端口连接；e-fuse芯片的HS^-端口与Q1的D极连接。

3.根据权利要求1所述的基于e-fuse芯片的保护电路，其特征在于，Q3的RDSON分别大于Q1、Q2的RDSON，Q3与Q1、Q2的RDSON差值至少为5mΩ。

4.根据权利要求1所述的基于e-fuse芯片的保护电路，其特征在于，所述驱动模块包括比较器和MOSFET Q4，驱动模块包括VIN_2、VOUT、Vgate三个输入信号和一个输出信号Vgate_1；VIN_2为Q1,Q2,Q3的输入信号；VOUT为Q1,Q2,Q3的输出信号；VIN_2经分压电阻R1、R2得到电压V1并接到比较器的负端，VOUT接到比较器的正端，VIN_2经分压电阻R3、R4得到的电压为比较器提供电源。

5.根据权利要求4所述的基于e-fuse芯片的保护电路，其特征在于，R2＝9R1。