[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 202010090106.0 申请日: 2020-02-13
公开(公告)号: CN111292683B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 彭利满;刘亮亮;白妮妮;米红玉;马玲玲 申请(专利权)人: 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225;H01L27/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;姜春咸
地址: 017020 内蒙古自治*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,具有阵列分布的多个像素,每个所述像素对应一个像素驱动电路,每个所述像素驱动电路包括:驱动单元、发光单元、存储单元、发光控制单元、写入单元以及调节单元;

所述驱动单元,用于驱动所述发光单元进行发光;

所述存储单元,用于存储所述写入单元的数据信号;

所述写入单元,用于通过所述存储单元的调节向所述驱动单元写入数据线端的数据信号;

所述发光控制单元,用于通过控制所述驱动单元而向所述发光单元写入显示电流;

所述调节单元,与所述存储单元并联,用于调整所述写入单元的数据信号,以使所有所述像素的发光单元的亮度一致;

所述存储单元包括:第一电容;

所述调节单元包括:第二电容,所述第二电容的第一极与所述第一电容的第一极连接,所述第二电容的第二极与所述第一电容的第二极连接,且靠近所述阵列基板的中心的所述第二电容的电容量小于远离所述阵列基板的中心的第二电容的电容量。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,包括:

基底;

位于所述基底上的第一电极层,所述第一电极层包括多个间隔分布的第一子电极层;

第一绝缘层,位于所述第一电极层远离所述基底的一侧;

第二电极层,位于所述第一绝缘层远离所述基底的一侧,所述第二电极层包括多个间隔分布的第二子电极层,所述第二子电极层与所述第一子电极层一一对应,以形成所述第一电容;

第二绝缘层,位于所述第二电极层远离所述基底的一侧;

第三电极层,位于所述第二绝缘层远离所述基底的一侧,所述第三电极层包括多个间隔分布的第三子电极层,所述第三子电极层与所述第一子电极层一一对应,以形成所述第二电容,且靠近所述阵列基板的中心的第三电极层的面积小于远离所述阵列基板的中心的第三电极层的面积。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个所述像素驱动电路还包括:重置单元,用于根据第一电压端调节第一节点以及第二节点的电压;

所述第一电容的第一极连接第二电压端,所述第一电容的第二极连接第一节点;

所述重置单元包括:第一晶体管,其栅极连接重置端,第一极连接第一节点,第二极连接第一电压端;第二晶体管,其栅极连接重置端,第一极连接第一电压端,第二极连接第二节点;

所述写入单元包括:第三晶体管,其栅极连接栅线端,第一极连接第一节点,第二极连接第三节点;第四晶体管,其栅极连接栅线端,第一极连接第四节点,第二极连接数据线端;

所述发光控制单元包括:第五晶体管,其栅极连接信号端,第一极连接第二电压端,第二极连接第四节点;第六晶体管,其栅极连接信号端,第一极连接第三节点,第二极连接第二节点;

所述驱动单元包括:第七晶体管,其栅极连接第一节点,第一极连接第四节点,第二极连接第三节点;

所述发光单元的输入端连接第二节点。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所有晶体管均为N型晶体管;或者,所有晶体管均为P型晶体管。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的显示区的边缘为弧线型边缘或者直线型边缘。

6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,基于所述权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板,所述方法包括:形成驱动单元、发光单元、存储单元、发光控制单元、写入单元以及调节单元;

其中,所述调节单元与所述存储单元并联,用于调整所述存储单元中所述存储的信号,以使所有所述像素的发光单元的亮度一致;所述存储单元包括:第一电容;所述调节单元包括:第二电容,所述第二电容的第一极与所述第一电容的第一极连接,所述第二电容的第二极与所述第一电容的第二极连接,且靠近所述阵列基板的中心的所述第二电容的电容量小于远离所述阵列基板的中心的第二电容的电容量。

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