[发明专利]一种显示面板有效
申请号: | 202010083872.4 | 申请日: | 2020-02-10 |
公开(公告)号: | CN111276519B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 黄茜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的膜层结构;所述膜层结构包括位于不同层别的有源层和搭接金属层,所述膜层结构还包括位于所述有源层上方的层间介质层;
其中,所述有源层包括多个阵列分布且间隔设置的有源岛,所述搭接金属层包括多条搭接走线,相邻两个所述有源岛通过所述搭接走线电连接;所述层间介质层上设置有沟槽,所述沟槽中设置有有机层,所述沟槽在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影不重合。
2.根据权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述膜层结构还包括:
设置于所述衬底基板上且覆盖所述有源层的第一栅极绝缘层;
设置于所述第一栅极绝缘层上的第一金属层;
设置于所述第一栅极绝缘层和所述第一金属层上的第二栅极绝缘层;
设置于所述第二栅极绝缘层上的第二金属层;
设置于所述层间介质层上的源漏金属层;
其中,所述层间介质层设置于所述第二金属层和所述第二栅极绝缘层上。
3.根据权利要求2所述的一种显示面板,其特征在于,所述搭接走线与所述第一金属层同层设置。
4.根据权利要求2所述的一种显示面板,其特征在于,所述搭接走线与所述第二金属层同层设置。
5.根据权利要求2所述的一种显示面板,其特征在于,所述搭接走线与所述源漏金属层同层设置。
6.根据权利要求2所述的一种显示面板,其特征在于,所述搭接走线包括至少两条位于不同层别的连接线,每一所述搭接走线中所有所述连接线电性连接。
7.根据权利要求6所述的一种显示面板,其特征在于,所述连接线与所述第一金属层、所述第二金属层以及所述源漏金属层中的一者同层设置。
8.根据权利要求2所述的一种显示面板,其特征在于,所述有源岛包括本体和位于所述本体的纵向两侧且与所述本体电连接的连接端子,所述搭接走线与所述连接端子电连接。
9.根据权利要求8所述的一种显示面板,其特征在于,所述第一金属层包括沿横向设置的扫描线,所述搭接走线在所述衬底基板上的投影与所述扫描线平行。
10.根据权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽,所述第一沟槽位于所述层间介质层上与相邻两列所述有源岛之间的间隙对应的区域处,所述第二沟槽位于所述层间介质层上与相邻两行所述有源岛之间的间隙对应的区域处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的