[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

说明书

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。

技术领域

本发明的例示的实施方式涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。

背景技术

在电子器件的制造中，能够使用等离子体处理装置。作为等离子体处理装置的一种，已知有电容耦合型的等离子体处理装置。电容耦合型的等离子体处理装置包括腔室、上部电极和下部电极。下部电极构成载置台的一部分，设置于腔室内。上部电极设置于下部电极的上方。在电容耦合型的等离子体处理装置中，通过对上部电极或者下部电极供给高频电功率，腔室内的气体被激励而生成等离子体。载置台上的基片被来自所生成的等离子体的化学种处理。

电容耦合型的等离子体处理装置可以包括直流电源，构成为能够在腔室内生成等离子体时对上部电极施加来自直流电源的负极性的直流电压。这样的包括直流电源的等离子体处理装置记载在专利文献1中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-270019号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

要求在对基片的等离子体处理中能够抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。

用于解决技术问题的技术方案

在一个例示的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、上部电极、高频电源、直流电源装置和控制部。基片支承器包含设置于腔室内的下部电极。上部电极设置于基片支承器的上方。高频电源用于在腔室内生成等离子体。直流电源装置与上部电极电连接。控制部控制高频电源和直流电源装置。腔室接地。直流电源装置用于周期性地产生脉冲状的负极性的直流电压。直流电源装置的输出电压在周期中的第1期间为负极性的直流电压，在周期中的剩余的第2期间为零伏，以使得周期性地输出脉冲状的负极性的直流电压。控制部用于执行第1控制和第2控制。第1控制是为了在腔室内生成等离子体来执行对载置于基片支承器上的基片的等离子体处理而执行的。在第1控制中，控制部使高频电源供给高频电功率，并且使直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。第2控制是为了在腔室内生成等离子体来执行对腔室内的内壁面的等离子体清洁而执行的。在第2控制中，控制部使高频电源供给高频电功率，并且使直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。控制部能够将在第1控制中使用的占空比(即，第1占空比)设定成比在第2控制中使用的占空比(即，第2占空比)小的值。占空比是在周期中第1期间所占的比例。控制部将第1控制中的周期内的直流电源装置的输出电压的平均值设定为比第2控制中的周期内的直流电源装置的输出电压的平均值小的值。

发明效果

依照一个例示的实施方式，在对基片的等离子体处理中能够抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。

附图说明

图1是概略地表示一个例示的实施方式的等离子体处理装置的图。

图2是表示图1所示的等离子体处理装置的直流电源装置的构成的一例的图。

图3是使用一个例示的实施方式的等离子体处理装置执行的等离子体处理方法的时序图。