[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

腔室；

包含设置于所述腔室内的下部电极的基片支承器；

设置于所述基片支承器的上方的上部电极；

用于在所述腔室内生成等离子体的高频电源；

与所述上部电极电连接的直流电源装置；和

控制所述高频电源和所述直流电源装置的控制部，

所述腔室接地，

所述直流电源装置构成为能够周期性地产生脉冲状的负极性的直流电压，

所述直流电源装置的输出电压在周期中的第1期间为负极性的直流电压，在所述周期中的剩余的第2期间的为零伏，以使得周期性地输出所述脉冲状的负极性的直流电压，

所述控制部，

执行第1控制，所述第1控制使所述高频电源供给高频电功率并且使所述直流电源装置将所述脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到所述上部电极，以使得在所述腔室内生成等离子体来执行对载置于所述基片支承器上的基片的等离子体处理，

执行第2控制，所述第2控制使所述高频电源供给高频电功率并且使所述直流电源装置将所述脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到所述上部电极，以使得在所述腔室内生成等离子体来执行对所述腔室内的内壁面的等离子体清洁，

将作为在所述周期中所述第1期间所占的比例即占空比的、在所述第1控制中使用的第1占空比，设定为比在所述第2控制中使用的所述占空比即第2占空比小的值，

将所述第1控制中的所述周期内的所述直流电源装置的所述输出电压的平均值的绝对值，设定为比所述第2控制中的所述周期内的所述直流电源装置的所述输出电压的平均值的绝对值小的值。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

作为所述周期的倒数的频率为400kHz以上。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述频率为1MHz以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第1占空比和所述第2占空比各自为20％以上、50％以下。

5.一种使用等离子体处理装置的等离子体处理方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置包括：

腔室；

包含设置于所述腔室内的下部电极的基片支承器；

设置于所述基片支承器的上方的上部电极；

用于在所述腔室内生成等离子体的高频电源；和

与所述上部电极电连接的直流电源装置，

所述腔室接地，

所述直流电源装置构成为能够周期性地产生脉冲状的负极性的直流电压，

所述直流电源装置的输出电压在周期中的第1期间为负极性的直流电压，在所述周期中的剩余的第2期间为零伏，以使得周期性地输出所述脉冲状的负极性的直流电压，

所述等离子体处理方法包括：

对载置于所述基片支承器上的基片执行等离子体处理的步骤；和

对所述腔室的内壁面执行等离子体清洁的步骤，

在所述执行等离子体处理的步骤中，所述高频电源供给高频电功率，并且所述直流电源装置将所述脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到所述上部电极，以使得在所述腔室内生成等离子体，

在所述执行等离子体清洁的步骤中，所述高频电源供给高频电功率，并且所述直流电源装置将所述脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到所述上部电极，以使得在所述腔室内生成等离子体，

将作为在所述周期中所述第1期间所占的比例即占空比的、在所述执行等离子体处理的步骤中使用的第1占空比，设定为比在执行等离子体清洁的步骤中使用的所述占空比即第2占空比小的值，

所述执行等离子体清洁的步骤中的所述周期内的所述直流电源装置的所述输出电压的平均值的绝对值，比所述执行等离子体清洁的步骤中的所述周期内的所述直流电源装置的所述输出电压的平均值的绝对值小。

6.如权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于：

作为所述周期的倒数的频率为400kHz以上。