[发明专利]一种在沟槽内填充金属的方法和一种沟槽结构有效
| 申请号： | 202010080267.1 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111261587B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 吴友明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 填充 金属 方法 结构 | ||
1.一种在沟槽内填充金属的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在沟槽内淀积阻挡层；
采用250～350V的负偏压刻蚀去除豁口处的阻挡层悬垂凸起结构；
通过650～750W的射频功率在所述阻挡层表面淀积籽晶层，形成一籽晶层沟槽；
采用250～350V的负偏压刻蚀去除所述籽晶层沟槽豁口处的籽晶层悬垂凸起结构；
在去除所述籽晶层悬垂凸起结构之后，通过200～250W的射频功率在所述籽晶层沟槽内淀积另一籽晶层，以对所述籽晶层和所述阻挡层执行修复过程；
在所述籽晶层表面淀积金属，以填充所述籽晶层沟槽。
2.根据权利要求1所述的在沟槽内填充金属的方法，其特征在于：所述阻挡层为Ta或TaN。
3.根据权利要求2所述的在沟槽内填充金属的方法，其特征在于：所述阻挡层采用化学气相淀积工艺淀积而成。
4.根据权利要求1所述的在沟槽内填充金属的方法，其特征在于：所述刻蚀工艺采用Ar+或He+离子进行刻蚀。
5.根据权利要求4所述的在沟槽内填充金属的方法，其特征在于：在所述阻挡层淀积之前还设置有预清洗的过程。
6.根据权利要求5所述的在沟槽内填充金属的方法，其特征在于：在所述预清洗的过程之前还设置有除气的过程。
7.根据权利要求1所述的在沟槽内填充金属的方法，其特征在于：所述金属为铜。
8.根据权利要求7所述的在沟槽内填充金属的方法，其特征在于：所述铜采用电化学镀膜的工艺淀积填充在所述籽晶层沟槽内。
9.一种沟槽结构，所述沟槽内填充有金属，其特征在于，所述金属采用权利要求1至8中任一项所述的方法填充。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
