[发明专利]一种电化学制备全表面发光的多孔硅的方法

权利要求书

1.一种电化学制备全表面发光的多孔硅的方法，其特征在于，它包含以下步骤：

1）取铂片（2）、P型单晶硅片（3）、银片（4）各一片，将P型单晶硅片（3）置于铂片（2）和银片（4）之间，然后放入夹板一（5-1）和夹板二（5-2）之间，将铂丝一（8）的一端置于铂片（2）和夹板一（5-1）之间，将铂丝二（9）置于银片（4）和夹板二（5-2）之间，将螺栓（6）分别穿过夹板一（5-1）和夹板二（5-2）对应的圆孔（11），再通过旋转螺母（7）将夹板一（5-1）和夹板二（5-2）固定，最后把装置放入到容器（1）中，使夹板一（5-1）和夹板二（5-2）竖直放置；其中，铂片（2）、P型单晶硅片（3）、银片（4）的面积比为6～8：3～5：1～2；

2）制备腐蚀液（10），将无水乙醇和40%氢氟酸溶液按体积比为1:6～2:1进行混合，得到腐蚀液（10）；

3）将步骤2）的腐蚀液（10）加入到步骤1）的容器（1）中，腐蚀液（10）要淹没步骤1）中竖直放置的夹板一（5-1）和夹板二（5-2）；

4）将步骤1）的铂丝一（8）连接电源负极，铂丝二（9）连接电源正极，通入电流，使电流大小与硅片全部表面的面积比为2.5～150mA/cm²，通入电流的时间为10～80min;

5）将反应后的P型单晶硅片（3）取出并在室温下干燥，得到所有面均为多孔硅的样品，在紫外光照射下，整个样品表面发射可见光。

2.根据权利要求1所述的一种电化学制备全表面发光的多孔硅的方法，其特征在于，所述夹板一（5-1）、夹板二（5-2）、螺栓（6）、螺母（7）、容器（1）的材料为聚四氟乙烯。