[发明专利]一种单晶硅光栅导模共振滤波器有效
申请号: | 202010065429.4 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN111257982B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 钱林勇;朱雯;李海涛;闫长春 | 申请(专利权)人: | 江苏师范大学 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;G02B5/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 汤金燕 |
地址: | 221116 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 光栅 共振 滤波器 | ||
1.一种单晶硅光栅导模共振滤波器,其特征在于,包括:锗薄膜层(1)和单晶硅光栅层(2);所述单晶硅光栅层(2)的顶端具有多个尺寸相同的锯齿状突起,各个锯齿状突起的底边均在底边直线上,各个锯齿状突起的两条侧边与底边直线所成的夹角相等;所述锗薄膜层(1)为将锗镀在所述锯齿状突起的表面形成的第一薄膜层;
所述单晶硅光栅层(2)的各组侧面相互平行,所述单晶硅光栅导模共振滤波器还包括:二氧化硅抗反层(3),所述二氧化硅抗反层(3)为将二氧化硅镀在所述锗薄膜层(1)表面形成的第二薄膜层;
TE线偏振光以垂直于所述底边直线的方向入射到所述二氧化硅抗反层(3)表面,再从所述二氧化硅抗反层(3)表面反射出来得到反射光线,所述反射光线是0级光,反射方向跟入射方向完全相反;
各个锯齿状突起的底边长范围设定为1-2μm;
所述第一薄膜层的厚度范围设定为200-600nm;
所述夹角等于54.74度;
所述第二薄膜层的厚度范围设定为200-600nm。
2.根据权利要求1所述的单晶硅光栅导模共振滤波器,其特征在于,所述单晶硅光栅层(2)构成所述单晶硅光栅导模共振滤波器的基底。
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