[发明专利]一种高衍射效率相位型空间光调制器

权利要求书

1.一种高衍射效率相位型空间光调制器，其特征在于：在可独立寻址硅基集成电路上设置吸收层，像素电极设置在吸收层表面，在像素电极上制备纳米柱超表面，所述的纳米柱超表面随机分布在像素电极上，像素电极作为下基板，导电玻璃作为上基板，在上、下基板间灌注液晶。

2.根据权利要求1所述的高衍射效率相位型空间光调制器，其特征在于：纳米柱超表面受入射光场引发的电偶极子和磁偶极子震荡具有相同的振幅和相位。

3.根据权利要求1所述的高衍射效率相位型空间光调制器，其特征在于：每个像素电极上含有的纳米柱超表面数量相同。

4.根据权利要求1所述的高衍射效率相位型空间光调制器，其特征在于：所述的纳米柱超表面中纳米柱以正方体为单位随机排列，在每个单位内纳米柱几何结构为圆柱体。

5.根据权利要求1所述的高衍射效率相位型空间光调制器，其特征在于：所述的纳米柱超表面中纳米柱以正六棱柱为单位随机排列，在每个单位内纳米柱几何结构的横截面外轮廓为四边形，内轮廓为圆形。

6.根据权利要求1所述的高衍射效率相位型空间光调制器，其特征在于：纳米柱超表面所采用的介质材料为：二氧化钛、硅、锗、氮化硅、氮化镓、砷化镓、铝砷化镓、碲、碲化铅、碳化硅、非晶硅或磷化镓。

7.根据权利要求1所述的高衍射效率相位型空间光调制器，其特征在于：所述的吸收层采用金属层、绝缘体层和金属层依次形成的MIM结构。

8.根据权利要求7所述的高衍射效率相位型空间光调制器，其特征在于：MIM结构中，下层的金属层和中层的绝缘体层均为均匀层状结构，上层的金属层为图案结构，作为所述像素电极。

9.根据权利要求7所述的高衍射效率相位型空间光调制器，其特征在于：MIM结构中，上、下层的金属层和中层的绝缘体层均为均匀层状结构；所述MIM结构上覆盖一层绝缘层，绝缘层上设置所述像素电极。

10.根据权利要求1所述的高衍射效率相位型空间光调制器，其特征在于：在上基板和下基板的内表面均设置光取向层。