[发明专利]一种三相桥双直流电机控制电路在审
申请号: | 202010062551.6 | 申请日: | 2020-01-19 |
公开(公告)号: | CN111146978A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 吴凯 | 申请(专利权)人: | 吴凯 |
主分类号: | H02P5/50 | 分类号: | H02P5/50 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 蒋学超 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三相 直流电机 控制电路 | ||
1.一种三相桥双直流电机控制电路,其特征在于,包括六个开关晶体管以及总路检流电阻;六个所述开关晶体管分别为第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管以及第六开关晶体管;六个所述开关晶体管构成三个相互并联的桥臂,三个相互并联的桥臂分别为第一桥臂、第二桥臂以及第三桥臂,第一开关晶体管和第二开关晶体管串联构成第一桥臂,所述第三开关晶体管和第四开关晶体管串联构成第二桥臂,所述第五开关晶体管和第六开关晶体管串联构成第三桥臂;所述第一桥臂、第二桥臂和第三桥臂的一端与电压输入端连接,所述第一桥臂、第二桥臂和第三桥臂的另一端均与所述总路检流电阻连接之后与接地端连接;所述第一桥臂和/或第三桥臂与所述总路检流电阻之间串联有支路检流电阻;第一电机连接于第一桥臂与第二桥臂之间,第二电机连接于第二桥臂与第三桥臂之间。
2.根据权利要求1所述的一种三相桥双直流电机控制电路,其特征在于,所述第一开关晶体管、第三开关晶体管和第五开关晶体管的漏极的分别与电压输入端连接,所述第一开关晶体管的源极与所述第二开关晶体管的漏极连接,所述第三开关晶体管的源极与所述第四开关晶体管的漏极连接,所述第五开关晶体管的源极与所述第六开关晶体管的漏极连接,所述第二开关晶体管、第四开关晶体管和第六开关晶体管的源极均与所述总路检流电阻的一端连接,所述总路检流电阻的另一端与接地端连接;所述第一电机的一端连接于第一开关晶体管和第二开关晶体管之间,所述第一电机的另一端连接于所述第三开关晶体管和第四开关晶体管之间,所述第二电机的一端连接于所述第三开关晶体管和第四开关晶体管之间,所述第二电机的另一端连接于所述第五开关晶体管和第六开关晶体管之间。
3.根据权利要求2所述的一种三相桥双直流电机控制电路,其特征在于,所述第二开关晶体管与所述总路检流电阻之间串联有第一支路检流电阻。
4.根据权利要求2所述的一种三相桥双直流电机控制电路,其特征在于,所述第六开关晶体管与所述总路检流电阻之间串联有第二支路检流电阻。
5.根据权利要求2所述的一种三相桥双直流电机控制电路,其特征在于,所述所述第二开关晶体管与所述总路检流电阻之间串联有第一支路检流电阻;所述第六开关晶体管与所述总路检流电阻之间串联有第二支路检流电阻。
6.根据权利要求1所述的一种三相桥双直流电机控制电路,其特征在于,所述开关晶体管为MOSFET或者双极晶体管或者晶闸管或者IGCT或者IGBT。
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