[发明专利]一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法

权利要求书

1.一种生长金刚石多晶膜用样品托，样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽，其特征在于，样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹，若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带。

2.根据权利要求1所述的一种生长金刚石多晶膜用样品托，其特征在于，单个圆环由实心环带和空心环带组成，实心环带由相同材质制成，空心环带由若干个空心图形串联形成。

3.根据权利要求2所述的一种生长金刚石多晶膜用样品托，其特征在于，若干个空心图形串联时接触连接。

4.根据权利要求2所述的一种生长金刚石多晶膜用样品托，其特征在于，空心图形为规则图形或不规则图形。

5.根据权利要求4所述的一种生长金刚石多晶膜用样品托，其特征在于，规则图形为圆形、矩形、正多边形和三角形中的任一种。

6.根据权利要求2所述的一种生长金刚石多晶膜用样品托，其特征在于，单个圆环中，实心环带所围成的弧形角度为Y，空心环带所围成的弧形角度为X，Y和X的变化范围分别为0～360°，且X+Y＝360°。

7.根据权利要求2所述的一种生长金刚石多晶膜用样品托，其特征在于，实心环带和空心环带设为相互接触或相互间断。

8.根据权利要求1所述的一种生长金刚石多晶膜用样品托，其特征在于，若干个同心圆环间隔均匀分布或非均匀间隔分布。

9.一种使用如权利要求1-8任一项所述的样品托生长金刚石多晶膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一：对应等离子体球的分布，设置非均匀散热样品托；

步骤二：将异质衬底放入样品托，使用MPCVD法生长多晶金刚石；

步骤三：生长到设定厚度后，即得金刚石多晶膜。

10.根据权利要求9所述的一种金刚石多晶膜生长方法，其特征在于，步骤一中，通过改变样品托底部同心圆环的数量、间隔宽度、实心圆环带、空心圆环带宽度、容置槽深度和空心图形的形状大小，实现对应于等离子体球能量分布的非均匀散热。