[发明专利]光波导微流体芯片在审
申请号: | 202010052216.8 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111135887A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 陈昌;刘博;豆传国 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00;G01N21/63 |
代理公司: | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人: | 黄少波 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波导 流体 芯片 | ||
1.一种光波导微流体芯片,包括:光波导和微流道,其特征在于,所述光波导用以将光沿水平方向导入所述微流道内:
还包括:依次由下而上设置的衬底、下包层、波导层和上包层,所述波导层是氮化硅材料,所述波导层用以形成所述光波导;
所述微流道由上而下贯穿所述上包层、所述波导层和所述下包层延伸进所述衬底;
所述下包层是厚度为2~3μm的二氧化硅,所述上包层是厚度为15~30μm的高分子聚合材料,所述微流道延伸进所述衬底10~15μm,所述微流道宽度为10-100μm。
2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,若干个所述光波导相互平行,以将光导入所述微流道,所述光波导的宽度为300-600nm。
3.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,整层或大部分所述波导层形成一个片状的所述光波导。
4.根据权利要求2~3所述的芯片,其特征在于,所述波导层厚度为150-1000nm。
5.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,还包括氮化硅材料的入射光栅,以与所述光波导结合形成光栅耦合光波导,将所述上包层上方的光导入所述光波导直至导入所述微流道;所述入射光栅凸出于所述波导层向上延伸进所述上包层。
6.根据权利要求3所述的芯片,其特征在于,包括若干个相互平行的所述耦合光波导。
7.根据权利要求5所述的芯片,其特征在于,所述波导层厚度为150-
1000nm,所述耦合光波导的宽度为300-600nm。
8.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,还包括光纤,所述光纤与所述光波导光耦合。
9.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述衬底是硅衬底。
10.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述高分子聚合材料是SU-8树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅烷、聚乙烯或苯丙环丁烯。
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