[发明专利]等离子体处理装置在审

专利信息
申请号: 202010051946.6 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN111463097A 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 田中诚治 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;刘芃茜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【说明书】:

本发明提供等离子体处理装置。处理室在内部设置有用于载置基片的载置台,在其中实施对基片的等离子体处理。排气口设置在载置台的周围的、比载置台的载置基片的载置面低的位置,对处理室内进行排气。多个挡板由导电性材料形成,分别与接地电位连接,设置在排气向排气口的流动通路上比排气口靠上游侧处,从载置台的侧面侧和处理室的侧面侧交替地伸出,该伸出的前端部分隔开间隔地重叠。本发明能够抑制不稳定的放电。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置。

背景技术

专利文献1公开了一种等离子体处理装置,其在载置基片的载置台的周围,设置有由导电性材料形成的、为接地电位的多个分隔部件,以分隔为进行等离子体处理的处理区域和与排气系统连接的排气区域。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2015-216260号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明能够抑制不稳定的放电的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一方式的等离子体处理装置包括处理室、排气口和多个挡板。处理室在内部设置有用于载置基片的载置台,在其中实施对基片的等离子体处理。排气口设置在载置台的周围的、比载置台的载置基片的载置面低的位置,对处理室内进行排气。多个挡板由导电性材料形成,分别与接地电位连接,设置在排气向排气口的流动通路上比排气口靠上游侧处,从载置台的侧面侧和处理室的侧面侧交替地伸出,该伸出的前端部分隔开间隔地重叠。

发明效果

依照本发明,能够抑制不稳定的放电。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一例的垂直截面图。

图2A是表示实施方式的处理室内的结构的一例的水平截面图。

图2B是表示实施方式的处理室内的结构的另一例的水平截面图。

图3是表示实施方式的排气向排气口的流动的一例的图。

图4是表示实施方式的等离子体化的气体的流动的一例的图。

图5是表示比较例的等离子体化的气体的流动的一例的图。

图6是表示实施方式的来自排气部的颗粒的反跳的一例的图。

图7是表示实施方式的等离子体处理装置的另一结构的一例的图。

图8是表示实施方式的等离子体处理装置的另一结构的一例的图。

图9是表示实施方式的等离子体处理装置的另一结构的一例的图。

图10是表示实施方式的等离子体处理装置的另一结构的一例的图。

图11是表示实施方式的等离子体处理装置的另一结构的一例的图。

图12是表示实施方式的蚀刻的变化的一例的图。

图13是表示实施方式的等离子体处理装置的另一结构的一例的图。

附图标记说明

1 主体容器

4 处理室

23 载置台

23a 载置面

30 排气口

31 排气配管

32 自动压力控制阀(APC)

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