[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

处理室，其在内部设置有用于载置基片的载置台，在其中实施对基片的等离子体处理；

排气口，其设置在所述载置台的周围的、比所述载置台的载置基片的载置面低的位置，对所述处理室内进行排气；和

多个挡板，其由导电性材料形成，分别与接地电位连接，设置在排气向所述排气口的流动通路上比所述排气口靠上游侧处，从所述载置台的侧面侧和所述处理室的侧面侧交替地伸出，该伸出的前端部分隔开间隔地重叠。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个挡板之中最上部的挡板从所述载置台的侧面侧伸出。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个挡板之中最上部的挡板从所述处理室的侧面侧伸出。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个挡板设置在所述载置台的周围的整周。

5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还包括覆盖部，其覆盖所述载置台的侧面直至所述载置台的上端的导电性，

所述多个挡板之中从所述载置台的侧面侧伸出的挡板设置在所述覆盖部。

6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个挡板之中所述载置台的侧面侧和所述处理室的侧面侧的最上部的挡板在上表面形成有喷镀膜。

7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述载置台沿载置所述基片的载置面的外缘设置有突出的突出部。