[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010050441.8 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111509004A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 宋尚骏;南正植;宋赫中 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 王东贤;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
一种显示装置,包括:基板,该基板包括:显示区、外围区、焊盘区以及设置在显示区和焊盘区之间的弯曲区,其中外围区设置在显示区的外侧,并且焊盘区设置在外围区中;位于基板上并且在弯曲区中的多个金属布线;堆叠在弯曲区中的多个金属布线上的第一有机绝缘层和第二有机绝缘层;以及设置在第一有机绝缘层和第二有机绝缘层之间的第一虚设金属图案。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年1月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0012137号的优先权,通过引用将该申请的公开内容以其整体并入本文。
技术领域
本发明构思的示例性实施方式涉及显示装置,更特别地,涉及包括具有弯曲区的基板的显示装置,该弯曲区包括金属布线和虚设(dummy)金属图案。
背景技术
随着显示装置的飞速发展,已经引入了相对薄、重量相对轻并且功耗相对低的各种平板显示装置。最近,已经去除了显示装置的前表面上的物理按钮。因此,显示装置的前表面上的显示区的面积有增加的趋势。另外,为了最小化前表面上的不工作区(其是不显示图像区),已经在开发具有部分弯曲的显示区或弯曲的非显示区的显示装置。然而,当非显示区被弯曲时,在弯曲区中引入了应力,并且位于弯曲区中的任何布线都受到这样的应力。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施方式,显示装置包括:基板,该基板包括:显示区、外围区、焊盘区以及设置在显示区和焊盘区之间的弯曲区,其中外围区设置在显示区的外侧,并且焊盘区设置在外围区中;位于基板上并且在弯曲区中的多个金属布线;堆叠在弯曲区中的多个金属布线上的第一有机绝缘层和第二有机绝缘层;以及设置在第一有机绝缘层和第二有机绝缘层之间的第一虚设金属图案。
在本发明构思的示例性实施方式中,薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的发光装置位于基板的显示区中,并且第一有机绝缘层位于在显示区中的薄膜晶体管和发光装置之间。
在本发明构思的示例性实施方式中,薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,并且多个金属布线包括与源电极和漏电极相同的材料。
在本发明构思的示例性实施方式中,发光装置包括电连接到薄膜晶体管的像素电极、设置在像素电极上的公共电极以及设置在像素电极和公共电极之间的中间层,并且其中第一虚设金属图案包括与像素电极相同的材料。
在本发明构思的示例性实施方式中,像素电极具有堆叠结构,该堆叠结构包括第一导电层、第二导电层和第三导电层,其中第一导电层包括透明或半透明的电极层,其中第二导电层包括银,其中第三导电层包括透明或半透明的电极层,并且其中第一虚设金属图案包括与第二导电层相同的材料。
在本发明构思的示例性实施方式中,在显示区中,第二有机绝缘层包括覆盖像素电极的边缘并暴露像素电极的中心部分的开口,并且其中中间层位于开口中的像素电极上。
在本发明构思的示例性实施方式中,显示装置进一步包括设置在第二有机绝缘层上的弯曲保护层,其中弯曲保护层在弯曲区中为多个金属布线提供应力中性面。
在本发明构思的示例性实施方式中,显示装置进一步包括设置在第二有机绝缘层和弯曲保护层之间的第二虚设金属图案。
在本发明构思的示例性实施方式中,显示装置进一步包括设置在弯曲保护层上的第三虚设金属图案。
在本发明构思的示例性实施方式中,第一虚设金属图案沿着弯曲区延伸并且包括多个孔。
在本发明构思的示例性实施方式中,无机绝缘层堆叠在基板的显示区和外围区上,并且弯曲区包括开口区和位于开口区中的虚设绝缘图案,虚设绝缘图案包括有机材料,其中开口区暴露基板的顶部表面。
在本发明构思的示例性实施方式中,多个金属布线位于虚设绝缘图案上。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的