[发明专利]用于多水平蚀刻的方法、半导体感测装置及其制造方法

权利要求书

1.一种用于多水平蚀刻的方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底的控制区域上方形成第一参考特征；

在所述第一参考特征上方形成可蚀刻层并且在所述衬底上方形成目标区域；

图案化在所述可蚀刻层上方的掩蔽层，所述掩蔽层具有投影在所述控制区域上方的第一开口以及投影在所述目标区域上方的第二开口；以及

穿过所述第一开口以及所述第二开口移除所述可蚀刻层的一部分直至到达所述第一参考特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述衬底的所述目标区域上方形成目标特征，其中在所述移除所述可蚀刻层的所述部分期间在所述目标特征之前到达所述第一参考特征。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述衬底的所述目标区域上方形成所述第一参考特征。

4.根据权利要求1所述的方法，其中通过穿过所述第一开口移除所述可蚀刻层的所述部分获取的所述可蚀刻层中的参考水平不同于通过穿过所述第二开口移除所述可蚀刻层的所述部分获取的所述可蚀刻层中的控制水平。

5.根据权利要求4所述的方法，在穿过所述第一开口以及所述第二开口移除所述可蚀刻层的所述部分直至到达所述第一参考特征之后，从所述参考水平形成第一隔室并且从所述控制水平形成第二隔室。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：

在形成所述第二隔室之前通过重新限定所述掩蔽层改变所述第二开口的所述宽度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一参考特征包括：

在所述衬底的所述控制区域上方形成核心部分；以及

形成覆盖所述核心部分的盖部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：

形成覆盖所述衬底的所述目标区域的所述盖部分。

9.一种用于制造半导体感测装置的方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底的控制区域上方形成参考特征；

在所述衬底的目标区域上方形成感测特征；

在所述衬底的所述控制区域以及所述目标区域上方形成可蚀刻层；

图案化在所述可蚀刻层上方的掩蔽层，所述掩蔽层具有投影在所述参考特征上方的第一开口以及投影在所述感测特征上方的第二开口；以及

穿过所述第一开口以及所述第二开口移除所述可蚀刻层的一部分直至到达所述参考特征。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在所述感测特征之前所述移除所述可蚀刻层的所述部分期间到达所述参考特征。

11.根据权利要求10所述的方法，其中穿过所述第一开口移除所述可蚀刻层的所述部分直至到达所述参考特征包括：

执行各向异性蚀刻操作。

12.根据权利要求11所述的方法，在穿过所述第一开口移除所述可蚀刻层的所述部分直至到达所述参考特征之后，其进一步包括：

执行选择性蚀刻操作。

13.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

在所述衬底上方毯覆式沉积适形于所述参考特征的绝缘图案的作用层；

在所述作用层上方执行离子植入；

图案化所述作用层以暴露所述绝缘图案的中心部分；以及

退火所述作用层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中图案化所述作用层以暴露所述绝缘图案的所述中心部分同时在所述衬底的电路区域中形成晶体管的栅极。