[发明专利]一种显示面板制作方法及显示面板有效
申请号: | 202010043246.2 | 申请日: | 2020-01-15 |
公开(公告)号: | CN111244140B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 赵成雨 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H10K59/124 | 分类号: | H10K59/124;H10K59/121;H10K50/844;H10K71/00 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板,在所述衬底基板上形成介质层;具体包括:在所述衬底基板上形成绝缘层;在所述绝缘层远离所述衬底基板的表面形成平坦层;去除部分所述平坦层,以将所述绝缘层裸露出来;剩余所述平坦层及所述绝缘层形成第二沟槽;所述在所述衬底基板上形成绝缘层的步骤具体包括:在所述衬底基板上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一表面形成第二绝缘层;去除部分所述第二绝缘层,以将部分所述第一绝缘层裸露出来;在裸露出的部分所述第一绝缘层上形成与所述第二绝缘层平齐的第三绝缘层;形成覆盖所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第四绝缘层;
蚀刻去除部分所述介质层,以形成多个第一沟槽及位于两相邻的所述第一沟槽之间的隔离柱;其中,所述第一沟槽靠近所述衬底基板的底端空间大于远离所述衬底基板的开口端的空间;具体包括:去除裸露出的部分所述第四绝缘层及第四绝缘层下方的第三绝缘层,以将所述第一绝缘层裸露出来;其中,裸露出所述第一绝缘层的位置形成所述第一沟槽,两相邻的所述第一沟槽之间形成所述隔离柱;
在所述第一沟槽、所述隔离柱及所述介质层上形成有机发光膜层,所述第一沟槽将所述隔离柱及所述介质层上的有机发光膜层隔断;
形成封装层,以将所述第一沟槽、所述隔离柱及所述介质层上的有机发光膜层进行封装。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述蚀刻去除部分所述介质层,以形成多个第一沟槽及位于两相邻的所述第一沟槽之间的隔离柱的步骤具体包括:
在所述介质层远离所述衬底基板的一表面形成保护层;
对所述保护层进行蚀刻,裸露出部分所述介质层;
对裸露出的所述介质层进行蚀刻处理,以形成多个所述第一沟槽及位于两相邻的所述第一沟槽之间的所述隔离柱,其中,所述隔离柱的顶平面凸出于所述第一沟槽的底部;
及去除剩余所述保护层。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,
其中,所述保护层覆盖所述第二沟槽。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述在所述绝缘层远离所述衬底基板的表面形成平坦层的步骤具体包括:
在所述绝缘层远离所述衬底基板的一表面形成平坦化层;
在所述平坦化层远离所述衬底基板的一表面形成像素限定层。
5.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,
所述在所述衬底基板上形成第一绝缘层包括:
在所述衬底基板的一表面形成氮化硅层,及在所述氮化硅层远离所述衬底基板的一表面形成氧化硅层;
所述在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一表面形成第二绝缘层包括:
在所述氧化硅层远离所述衬底基板的一表面形成栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一表面形成电容绝缘层;
在所述电容绝缘层远离所述衬底基板的一表面形成混合绝缘层。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述形成封装层,以将所述第一沟槽、所述隔离柱及所述介质层上的有机发光膜层进行封装之后还包括:
去除部分所述隔离柱,以形成贯穿所述衬底基板、所述介质层、所述有机发光膜层及所述封装层的通孔;
其中,所述第一沟槽将剩余所述隔离柱及所述介质层上的所述有机发光膜层隔断。
7.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板通过权利要求1~6任一项所述的制作方法制成。
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