[发明专利]用于衬底处理腔室的底座

说明书

本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。

技术领域

本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。

背景技术

底座在衬底处理腔室中用于处理用在半导体应用中的衬底。诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)之类的处理方法可用在这种衬底处理腔室中。然而，许多底座设计在衬底处理期间遭受在衬底与衬底处理腔室内的其他部件之间的电弧放电或电容放电。例如，电弧放电可在衬底与邻近衬底放置的边缘环之间发生。电弧放电可引起若干操作问题，诸如在衬底上的膜沉积更少、在衬底的边缘附近的膜沉积损失(从而引起膜沉积的轮廓的不均匀性)、边缘环的破碎或边缘环到衬底的熔融。已经尝试解决这些问题，但是招致诸如产量降低、每衬底的管芯的效率较低、膜沉积不充分或操作成本高的问题。

因此，需要用于衬底处理腔室的改进的底座。

发明内容

本公开内容的实现方式整体上涉及用于衬底处理腔室的底座。

在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括台阶状表面，所述台阶状表面从所述支撑表面向上突出。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。

在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体，所述主体具有支撑表面。所述底座包括第一电极，所述第一电极在低于所述支撑表面的第一深度处设置在所述主体中。所述底座包括涂覆在所述第一电极的至少一部分上的涂层。所述涂层具有比所述第一电极的体电阻率大的体电阻率。

在一个实施方式中，一种衬底处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有内部容积；以及底座，所述底座设置在所述内部容积中。所述底座包括支撑表面。所述衬底处理腔室还包括边缘环。所述边缘环包括内表面、外表面、上表面以及在所述内表面的上端部上的斜面。所述斜面在所述内表面与所述上表面之间延伸。

附图说明

为了能够详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可以参考实现方式得到以上简要地概述的本公开内容的更特定的描述，其中一些实现方式在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了本公开内容的共同的实现方式，并且因此不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可以允许其他等效实现方式。

图1是根据一个实现方式的在其中设置有底座的腔室的示意性剖视图。

图2是根据一个实现方式的可在图1的腔室中使用的底座的一部分的示意性局部剖视图。

图3是根据一个实现方式的可在图1的腔室中使用的底座的一部分的示意性局部剖视图。

为了便于理解，已经尽可能地使用相同的附图标记标示各图共有的相同要素。设想的是，一个实现方式中所公开的要素可以有利地用于其他实现方式，而不进一步叙述。

具体实施方式