[发明专利]通风基座在审
申请号: | 202010040324.3 | 申请日: | 2020-01-15 |
公开(公告)号: | CN111446185A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 罗肯姆乌戴奇兰;金山姆;拉提沙奇特;卞大凯 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01J37/32 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 魏利娜 |
地址: | 荷兰,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通风 基座 | ||
1.一种基座,包括:
面,所述面被配置成将衬底支撑在其上;
外边缘,所述外边缘在所述面周围形成外周边;
后表面,所述后表面与所述面相对,其中所述面包括:
通道区域,所述通道区域位于所述外边缘与所述面的中心之间;以及
多个通道,所述多个通道安置于所述通道区域内并且相对于所述面的所述中心径向延伸;以及
一个或多个孔口,所述一个或多个孔口在所述面与所述后表面之间延伸,所述一个或多个孔口被配置成允许销延伸穿过所述一个或多个孔口并且从所述基座的所述面提升衬底,所述一个或多个孔口安置于所述通道区域内。
2.根据权利要求1所述的基座,其中所述面还包括在所述外边缘与所述通道区域的外部径向边界之间径向延伸的基本上平坦且平滑的边沿区域。
3.根据权利要求1所述的基座,其中所述多个通道中的至少一个的横截面包括:
第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁和所述第二侧壁中的每一个基本上是平坦的,其中所述第一侧壁和所述第二侧壁相对于彼此以锐角安置。
4.根据权利要求1所述的基座,其中所述多个通道中的每一个在径向方向上基本上是笔直的,并且其中所述多个通道中的第一通道与第二通道之间的角距大于所述多个通道中的所述第二通道与第三通道之间的角距,其中所述第一通道与所述第二通道径向连续并且所述第二通道与所述第三通道径向连续。
5.根据权利要求4所述的基座,其中所述第一通道与所述第二通道之间的所述角距比所述第二通道与所述第三通道之间的所述角距大至少约50%。
6.根据权利要求5所述的基座,其中所述一个或多个孔口安置于所述第一通道与所述第二通道之间。
7.根据权利要求1所述的基座,其中所述一个或多个孔口包括至少三个孔口,并且其中所述至少三个孔口中的每个径向连续孔口之间的角距基本上相等。
8.根据权利要求1所述的基座,其中所述通道区域包括外部通道区域和内部通道区域,其中所述外部通道区域相对于所述内部通道区域具有升高部分,所述外部通道区域被配置成支撑所述衬底。
9.根据权利要求1所述的基座,其中所述面的所述通道区域内的通道数目在15与30之间。
10.一种基座,包括:
外部基座,所述外部基座被配置成支撑衬底,所述外部基座包括:
大体上圆形边缘;
孔口;以及
第一通道区域,所述第一通道区域位于所述外部基座的所述边缘与所述孔口之间,以形成大体上孔环,所述第一通道区域包括第一多个径向延伸通道;以及
内部基座,所述内部基座被配置成在组装状态下由所述外部基座支撑,所述内部基座包括:
大体上圆形边缘;以及
第二通道区域,所述第二通道区域位于中心与所述内部基座的所述边缘之间,所述第二通道区域包括第二多个径向延伸通道。
11.根据权利要求10所述的基座,其中所述第一多个通道中的至少一个的横截面包括弧形侧壁。
12.根据权利要求10所述的基座,其中所述第一多个通道和所述第二多个通道中的每一个在径向方向上基本上是笔直的,并且其中在所述组装状态下,所述第一多个通道中的所述每一个与所述第二多个通道中的对应通道基本上共线。
13.根据权利要求10所述的基座,其中所述第一通道和所述第二通道中的径向连续通道之间的角距在约3°与35°之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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