[发明专利]晶圆承载装置

说明书

本申请公开了一种晶圆承载装置，包括：第一支撑结构，具有第一支撑面和多个第一吸附孔；设置在所述第一支撑结构上的多个间隔排布的吸盘，用于吸附放置在第一支撑面上的晶圆；与第一吸附孔、吸盘连接的真空装置，使第一吸附孔的内部与吸盘的内腔气压为负压；第一吸附孔调压阀，设置在所述第一吸附孔与所述真空装置之间的气路上；吸盘调压阀，设置在吸盘与真空装置之间的气路上，第一真空孔调压阀和第一吸附孔调压阀分别独立地调节第一吸附孔内的气压和吸盘的腔内气压。通过第一吸附孔调压阀与吸盘调压阀精确地把控了吸附孔与吸盘对晶圆的吸附强度，使得吸盘在减小晶圆弓度值保证吸附孔固定住晶圆的同时，不会因吸盘的吸附力过大造成对晶圆的损伤。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种晶圆承载装置。

背景技术

在半导体器件的制造、检测过程中，需要使用晶圆承载装置(chuck)固定晶圆(wafer)。在现有技术中，由于晶圆发生翘曲，晶圆的弓度值(bow)较大导致晶圆表面不平整会对半导体器件的制造与检测带来不良影响。因此希望进一步改进晶圆承载装置，以提高半导体器件的良率。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种晶圆承载装置，通过第一吸附孔调压阀与吸盘调压阀精确地把控了吸附孔与吸盘对晶圆的吸附强度，使得吸盘在减小晶圆弓度值保证吸附孔固定住晶圆的同时，不会因吸盘的吸附力过大造成对晶圆的损伤。

本发明实施例提供了一种晶圆承载装置，包括：第一支撑结构，具有第一支撑面和位于所述第一支撑面内的多个第一吸附孔；多个间隔排布的吸盘，所述吸盘设置在所述第一支撑结构上，用于吸附放置在所述第一支撑面上的晶圆；与所述第一吸附孔、所述吸盘连接的真空装置，用于使所述第一吸附孔的内部与所述吸盘的内腔气压为负压；第一吸附孔调压阀，设置在所述第一吸附孔与所述真空装置之间的气路上；以及吸盘调压阀，设置在所述吸盘与所述真空装置之间的气路上，所述第一吸附孔调压阀和所述吸盘调压阀分别独立地调节所述第一吸附孔内的气压和所述吸盘的腔内气压。

可选地，所述第一支撑面包括中心支撑区以及至少一个外围支撑区，所述外围支撑区围绕所述中心支撑区，多个所述吸盘位于所述中心支撑区，多个所述第一吸附孔均匀分布在所述中心支撑区与外围支撑区。

可选地，多个所述吸盘呈三角形分布。

可选地，所述第一吸附孔调压阀包括：中心调压阀，用于调节位于所述中心支撑区的第一吸附孔内的气压；以及外围调压阀，用于调节位于所述外围支撑区的第一吸附孔内的气压。

可选地，所述第一支撑面设有凹槽，所述凹槽穿过所述外围支撑区并延伸到所述中心支撑区中。

可选地，所述凹槽的数量包括两个，所述吸盘位于所述两个凹槽之间。

可选地，所述第一吸附孔与所述真空装置之间的气路、所述吸盘调压阀与所述真空装置之间的气路在气路汇合处汇合接入所述真空装置。

可选地，还包括：机械臂，具有第一吸附结构，所述机械臂可伸入所述凹槽中，所述真空装置还与所述第一吸附结构连接，用于使所述第一吸附结构的内部气压为负压；以及第一吸附结构调压阀，设置在所述第一吸附结构与所述真空装置之间的气路上，所述第一吸附结构与所述真空装置之间的气路经所述气路汇合处接入所述真空装置，所述第一吸附结构调压阀独立地调节所述第一吸附结构的内部气压。

可选地，还包括：多个间隔排布的第二支撑结构，所述第二支撑结构自所述第一支撑结构向外突出，每个所述第二支撑结构具有第二支撑面和位于所述第二支撑面内的多个第二吸附孔，所述真空装置还与所述第二吸附孔连接，用于使所述第二吸附孔的内部气压为负压；以及第二吸附孔调压阀，设置在所述第二吸附孔与所述真空装置之间的气路上，所述第二吸附孔与所述真空装置之间的气路经所述气路汇合处接入所述真空装置，所述第二吸附孔调压阀独立地调节所述第二吸附孔内的气压。