[发明专利]晶圆承载装置有效
申请号: | 202010030108.0 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111211083B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 陈辉;张文杰;杨震 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 杨思雨 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
1.一种晶圆承载装置,其特征在于,包括:
第一支撑结构,具有第一支撑面和位于所述第一支撑面内的多个第一吸附孔;
多个间隔排布的吸盘,所述吸盘设置在所述第一支撑结构上,用于吸附放置在所述第一支撑面上的晶圆并通过吸盘调压阀独立地调整该晶圆的弓度值;
与所述第一吸附孔、所述吸盘连接的真空装置,用于使所述第一吸附孔的内部与所述吸盘的内腔气压为负压;
第一吸附孔调压阀,设置在所述第一吸附孔与所述真空装置之间的气路上;以及
所述吸盘调压阀,设置在所述吸盘与所述真空装置之间的气路上,
所述第一吸附孔调压阀和所述吸盘调压阀分别独立地调节所述第一吸附孔内的气压和所述吸盘的腔内气压,
所述多个吸盘的吸附面与所述多个第一吸附孔共同位于所述第一支撑面内。
2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一支撑面包括中心支撑区以及至少一个外围支撑区,所述外围支撑区围绕所述中心支撑区,
多个所述吸盘位于所述中心支撑区,多个所述第一吸附孔均匀分布在所述中心支撑区与外围支撑区。
3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置,其特征在于,多个所述吸盘呈三角形分布。
4.根据权利要求2所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一吸附孔调压阀包括:
中心调压阀,用于调节位于所述中心支撑区的第一吸附孔内的气压;以及
外围调压阀,用于调节位于所述外围支撑区的第一吸附孔内的气压。
5.根据权利要求2所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一支撑面设有凹槽,所述凹槽穿过所述外围支撑区并延伸到所述中心支撑区中。
6.根据权利要求5所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述凹槽的数量包括两个,所述吸盘位于两个凹槽之间。
7.根据权利要求5所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一吸附孔与所述真空装置之间的气路、所述吸盘调压阀与所述真空装置之间的气路在气路汇合处汇合接入所述真空装置。
8.根据权利要求7所述的晶圆承载装置,其特征在于,还包括:
机械臂,具有第一吸附结构,所述机械臂可伸入所述凹槽中,所述真空装置还与所述第一吸附结构连接,用于使所述第一吸附结构的内部气压为负压;以及
第一吸附结构调压阀,设置在所述第一吸附结构与所述真空装置之间的气路上,所述第一吸附结构与所述真空装置之间的气路经所述气路汇合处接入所述真空装置,所述第一吸附结构调压阀独立地调节所述第一吸附结构的内部气压。
9.根据权利要求7所述的晶圆承载装置,其特征在于,还包括:
多个间隔排布的第二支撑结构,所述第二支撑结构自所述第一支撑结构向外突出,每个所述第二支撑结构具有第二支撑面和位于所述第二支撑面内的多个第二吸附孔,所述真空装置还与所述第二吸附孔连接,用于使所述第二吸附孔的内部气压为负压;以及
第二吸附孔调压阀,设置在所述第二吸附孔与所述真空装置之间的气路上,所述第二吸附孔与所述真空装置之间的气路经所述气路汇合处接入所述真空装置,所述第二吸附孔调压阀独立地调节所述第二吸附孔内的气压。
10.根据权利要求7所述的晶圆承载装置,其特征在于,还包括:
预校准器,具有第二吸附结构,所述真空装置还用于使所述第二吸附结构的内部气压为负压;以及
第二吸附结构调压阀,设置在所述第二吸附结构与所述真空装置之间的气路上,所述第二吸附结构与所述真空装置之间的气路经所述气路汇合处接入所述真空装置,所述第二吸附结构调压阀独立地调节所述第二吸附结构的内部气压。
11.根据权利要求7-10任一所述的晶圆承载装置,其特征在于,还包括总调压阀,位于所述气路汇合处,用于控制所述负压的极限。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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