[发明专利]电池片处理方法有效
申请号: | 202010014212.0 | 申请日: | 2020-01-07 |
公开(公告)号: | CN111180393B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 李文;蒋小龙;冯康;顾慧健;刘娟 | 申请(专利权)人: | 无锡奥特维科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L31/18 |
代理公司: | 北京路胜元知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11669 | 代理人: | 蒋爱花;路兆强 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 处理 方法 | ||
本发明公开了一种电池片处理方法,所述电池片处理方法包括:将待处理的电池片输送至划线工位;在划线工位对所述待处理的电池片进行划片处理;将划片处理后的电池片输送至掰片工位;在掰片工位对所述划片处理后的电池片进行掰片处理,得到至少两片电池分片。本发明提供的电池片处理方法,电池片的处理效率高,而且对电池片的损伤小,可以有效提高电池片的分片效果。
技术领域
本发明涉及光伏电池生产领域,尤其涉及一种电池片处理方法。
背景技术
随着太阳能的广泛应用,太阳能光伏板产业也蓬勃发展。传统太阳能电池板在生产时,需要将多块电池片和焊带焊接成电池串,再将电池串和玻璃板、EVA等组装为光伏组件。
整片串焊已经开始逐渐无法适应目前市场上多样化的工艺需求,电池分片串焊逐渐兴起。但目前市面上的电池片处理方法效果较差,且效率低下。
发明内容
有鉴于此,本发明旨在提出一种电池片处理方法,以高效地对电池片进行处理,获得高质量的电池片分片。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
本发明提供一种电池片处理方法,方法包括:
将待处理的电池片输送至划线工位;
在划线工位对待处理的电池片进行划片处理;
将划片处理后的电池片输送至掰片工位;
在掰片工位对划片处理后的电池片进行掰片处理,得到至少两片电池分片。
优选地,在划线工位对待处理的电池片进行划片处理,包括:
在电池片的下方对电池片的下表面进行划片处理,电池片的下表面为电池片的背面;
或者,
在电池片的上方对电池片的上表面进行划片处理,电池片的上表面为电池片的背面。
适应不同的加工方式,灵活应对电池片背面朝上、朝下的情况。
优选地,在划线工位对待处理的电池片进行划片处理,包括:
对于待处理的电池片的任一划片线路,沿着划片线路对电池片进行一次划片处理,得到预定深度的划痕;
或者,
对于待处理的电池片的任一划片线路,沿着划片线路对电池片进行至少两次划片处理,直至划片产生的划痕深度达到预定深度。
当对一张电池片划线一次时,激光功率较大,处理效率高;当对同一张电池片划线多次时,激光功率较小,对激光器的损耗较小,划出狭槽的宽度较小,减少对电池片的损伤且能达到预定深度。
优选地,沿着划片线路对电池片进行至少两次划片处理,包括:
沿着划片线路对电池片进行至少一次往复划片处理;
或者,
沿着划片线路对电池片进行至少一次重复划片处理。
优选地,在划线工位对待处理的电池片进行划片处理,包括:
对于待处理的电池片的任一划片线路,沿着划片线路向电池片发射连续的激光束,直至形成一条连续的划痕;或者,沿着划片线路向电池片发射间断的激光束,直至形成一条间隔的划痕。更加多样化的处理方式,同样能够达到裂片的效果。
优选地,在掰片工位对划片处理后的电池片进行掰片处理,包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡奥特维科技股份有限公司,未经无锡奥特维科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010014212.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:物流拼单路线规划方法及系统
- 下一篇:一种用于水泥生产的采样设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造