[发明专利]图案化方法

说明书

本申请案涉及图案化方法。一些实施例包含一种将目标材料图案化的方法。提供具有位于所述目标材料上方的掩蔽材料的组合件。在所述组合件上方形成第一线。所述第一线沿着第一方向延伸且通过第一空间彼此横向地间隔开。在所述第一线上方形成第二线。所述第二线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸且通过第二空间彼此横向地间隔开。所述第二线与所述第一线在第一交叉区处交叉。所述第二空间与所述第一空间在第二交叉区处交叉。图案包含所述第一交叉区及所述第二交叉区。将所述图案转移到所述掩蔽材料中，以在所述掩蔽材料中位于所述第一交叉区及所述第二交叉区正下方的位置中形成孔。将所述孔延伸到所述目标材料中。

技术领域

本申请案涉及适合用于集成电路制作的图案化方法。

背景技术

制作集成电路可包括跨越支撑材料形成重复图案。举例来说，制作集成处理器、集成存储器及/或集成传感器可包括形成组件的一或多个阵列及相关联的组件部分。示例性集成存储器包含动态随机存取存储器(DRAM)、NAND等。

集成电路制作一直以来的目标是提高集成水平，且相关联的目标是增大集成电路内的包装密度。

期望开发出可适合于实现集成水平提高的改进的方法来形成重复图案

发明内容

在一个方面中，本申请案提供一种方法，所述方法包括：在第一材料上方形成第一线与空间(L/S)图案；在所述第一L/S图案上方形成第二L/S图案；移除所述第一材料的第一部分，以在所述第一材料中形成第一孔，所述第一部分对应于所述第一L/S图案的空间与所述第二L/S图案的空间的交叉部分；及移除所述第一材料的第二部分，以在所述第一材料中形成第二孔，所述第二部分对应于所述第一L/S图案的线与所述第二L/S图案的线的交叉部分。

在另一方面中，本申请案提供一种将目标材料图案化的方法，所述方法包括：形成组合件，所述组合件包括位于所述目标材料上方的掩蔽材料；在所述组合件上方形成第一线；所述第一线沿着第一方向延伸且通过第一空间彼此横向地间隔开；在所述第一线上方形成第二线；所述第二线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸且通过第二空间彼此横向地间隔开；所述第二线与所述第一线在第一交叉区处交叉；所述第二空间与所述第一空间在第二交叉区处交叉；图案包含所述第一交叉区及所述第二交叉区；将所述图案转移到所述掩蔽材料中，以在所述掩蔽材料中位于所述第一交叉区及所述第二交叉区正下方的位置中形成孔；及将所述孔延伸到所述目标材料中。

在又一方面中，本申请案提供一种将目标材料图案化的方法，所述方法包括：形成组合件，所述组合件包括位于所述目标材料上方的掩蔽材料；所述掩蔽材料具有第一上表面；在所述组合件上方形成第一线；所述第一线沿着第一方向延伸且通过第一空间彼此横向地间隔开；在所述第一线上方且在所述第一空间内形成模塑材料；所述模塑材料具有第二上表面；在所述第二上表面上方形成第二线；所述第二线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸且通过第二空间彼此横向地间隔开；通过所述第二线将所述模塑材料图案化以在所述模塑材料内形成第一图案；所述第一图案具有与所述第二线对准的第三线且具有与所述第二空间对准的第三空间；所述第一图案具有位于所述第三空间内且位于所述第一线正上方的第一间隙区，且具有位于所述第三空间内且位于所述第一空间正上方的第二间隙区；通过第一蚀刻将所述第一图案的所述第二间隙区转移到所述掩蔽材料中以形成延伸到所述掩蔽材料中的第一开口；移除所述第二线；通过第二蚀刻将所述第一图案的所述第一间隙区转移到所述第一线中以将所述第一线图案化成柱；在所述第一图案内、在所述第一开口内且在所述柱之间形成额外模塑材料；所述额外模塑材料填充所述第一图案以形成具有第三上表面的模塑材料块体；移除所述模塑材料块体的上部区以形成第四上表面，所述第四上表面沿着所述柱且沿着所述模塑材料块体的在所述柱之间的区延伸；移除所述柱以留下延伸穿过所述模塑材料块体的第二开口；将所述第二开口延伸到所述掩蔽材料中；所述掩蔽材料内的所述第一开口及所述第二开口一起形成第二图案；及将所述第二图案从所述掩蔽材料转移到所述目标材料。

附图说明