[发明专利]图案化方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在第一材料上方形成第一线与空间L/S图案；

在所述第一L/S图案上方形成第二L/S图案；

移除所述第一材料的第一部分，以在所述第一材料中形成第一孔，所述第一部分对应于所述第一L/S图案的空间与所述第二L/S图案的空间的交叉部分；及

移除所述第一材料的第二部分，以在所述第一材料中形成第二孔，所述第二部分对应于所述第一L/S图案的线与所述第二L/S图案的线的交叉部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在目标材料上方形成所述第一材料；及

将所述第一材料的所述第一孔及所述第二孔转移到所述目标材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一孔及所述第二孔是基本上正方形的。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一L/S图案的所述线沿着第一方向延伸；且其中所述第一孔及所述第二孔是基本上矩形的且沿着所述第一方向是细长的。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述目标材料是半导体衬底。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在目标材料上方形成所述第一材料；

在所述第一孔及所述第二孔中形成侧壁间隔件，以将所述第一孔及所述第二孔分别转换成第三孔及第四孔；及

将所述第一材料的所述第三孔及所述第四孔转移到所述目标材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括沿着所述第一L/S图案的所述线的侧表面形成侧壁间隔件以减小所述第一L/S图案的所述空间的尺寸。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括沿着所述第二L/S图案的所述线的侧表面形成侧壁间隔件以减小所述第二L/S图案的所述空间的尺寸。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一L/S图案的所述线与所述第二L/S图案的所述线基本上正交。

10.一种将目标材料图案化的方法，其包括：

形成组合件，所述组合件包括位于所述目标材料上方的掩蔽材料；

在所述组合件上方形成第一线；所述第一线沿着第一方向延伸且通过第一空间彼此横向地间隔开；

在所述第一线上方形成第二线；所述第二线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸且通过第二空间彼此横向地间隔开；

所述第二线与所述第一线在第一交叉区处交叉；

所述第二空间与所述第一空间在第二交叉区处交叉；图案包含所述第一交叉区及所述第二交叉区；

将所述图案转移到所述掩蔽材料中，以在所述掩蔽材料中位于所述第一交叉区及所述第二交叉区正下方的位置中形成孔；及

将所述孔延伸到所述目标材料中。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述孔是基本上正方形的。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述孔是基本上矩形的且沿着所述第一方向是细长的。

13.根据权利要求10所述的方法，其中：

使用第一光刻工艺将所述第一线图案化出，所述第一光刻工艺具有与其相关联的第一最小特征大小；

使用第二光刻工艺将所述第二线图案化出，所述第二光刻工艺具有与其相关联的第二最小特征大小；

所述第一线中的每一者具有沿着所述第二方向的第一宽度；

所述第二线中的每一者具有沿着所述第一方向的第二宽度；且

所述第一宽度小于所述第一最小特征大小，或所述第二宽度小于所述第二最小特征大小。