[发明专利]一种像素结构、显示面板、显示方法和制作方法有效

专利信息
申请号: 202010010725.4 申请日: 2020-01-06
公开(公告)号: CN111175998B 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 丘鹤元;吴小林;陈惠;王巧妮;谢鑫;黄艺芳;张新宇 申请(专利权)人: 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03;G09F9/30
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 付生辉
地址: 350300 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 结构 显示 面板 方法 制作方法
【权利要求书】:

1.一种像素结构,设置在第一基板和第二基板之间,其特征在于,包括

发光单元;

相位调制单元,包括

波导,所述发光单元发射的光入射到所述波导中;

位于所述第一基板上的第一控制电极;

位于所述第二基板上的与所述第一控制电极对应的第二控制电极;

其中,所述波导响应于所述第一控制电极和第二控制电极加载的电压而改变折射率以对所述入射的光进行相位调制并从所述波导射出被调制的光;

还包括

所述波导包括光入射区,位于所述发光单元的出光侧;

覆盖在所述光入射区靠近所述发光单元的出光侧的表面的第一材料层,以及覆盖在所述光入射区远离所述发光单元的出光侧的表面的第一反射层,其中

所述第一材料层的折射率小于所述光入射区的折射率;

所述第一反射层用于反射从远离所述发光单元的出光侧的表面射出的光;

和/或

所述波导包括光出射区,所述被调制的光在所述光出射区射出;

覆盖在所述光出射区靠近光出射的表面的第二材料层,以及覆盖在所述光出射区远离所述光出射的表面的第二反射层,其中

所述第二材料层的折射率大于所述光出射区的折射率;

所述第二反射层用于反射从远离所述光出射的表面射出的光。

2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述波导包括

相位调制区,位于所述第一控制电极和第二控制电极之间,所述入射的光的相位在所述相位调制区被调制。

3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,

所述光入射区靠近所述发光单元的出光侧的表面的折射率小于所述光入射区内部的折射率,所述光入射区远离所述发光单元的出光侧的表面的折射率小于所述光入射区内部的折射率;

和/或

所述光出射区靠近光出射的表面的折射率大于所述光出射区内部的折射率,所述光出射区远离所述光出射的表面的折射率小于所述光出射区内部的折射率。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的像素结构,其特征在于,

所述像素结构还包括位于所述第一基板上的第一驱动电路,所述第一驱动电路调整加载至所述第一控制电极上的电压;

所述发光单元包括发光器件和位于所述第二基板上的第二驱动电路,所述第二驱动电路驱动所述发光器件发光。

5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,

所述第二控制电极与所述发光器件的阴极同层设置。

6.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,

所述第二控制电极与所述发光器件的阴极电连接。

7.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,

所述波导的材料为LiNbO3、LiTaO3、BaTaO3和GaAs中的一个;

和/或

所述波导的厚度为α,α大于0.1μm且小于5μm。

8.一种显示面板,其特征在于,包括阵列排布的如权利要求1-7中任一项所述的像素结构。

9.一种利用权利要求8所述的显示面板的显示方法,其特征在于,包括:

控制所述各像素结构的发光单元发射光;

控制加载在所述各像素结构中第一控制电极和第二控制电极的电压,使得所述波导响应于所述第一控制电极和第二控制电极加载的电压而改变折射率以对所述入射的光进行相位调制并从所述波导射出被调制的光。

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